[发明专利]微结构增强反射式光阴极的制备方法有效
| 申请号： | 201510279955.X | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105047505B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 樊龙;邓博;曹柱荣 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 621900 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微结构 增强 反射 阴极 制备 方法 | ||
1.一种微结构增强反射式光阴极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，提供一个微通道板，该微通道板由皮玻璃和芯玻璃构成，其中的皮玻璃是可被HF腐蚀而不被HNO3腐蚀的玻璃，芯玻璃是既可被HF腐蚀而又可被HNO3腐蚀的玻璃；
步骤二，将微通道板的一面浸入HF溶液中，皮玻璃和芯玻璃交界处的一部分皮玻璃和芯玻璃被腐蚀，并在皮玻璃上形成锥壁；
步骤三，将步骤二处理过的微通道板清洗后，将同一面浸入HNO3溶液中进行处理，芯玻璃的一部分被腐蚀形成平面锥底；
步骤四，将步骤三处理过的微通道板清洗后浸入NaOH溶液中进行表面微处理；
步骤五，将步骤三处理过的微通道板去除表面损伤层，烘干后获得具有密排倒圆锥后凹式微结构阵列的微结构增强基底；
步骤六，采用物理气相沉积法在微结构基底表面镀制一层电极层；
步骤七，采用物理气相沉积法在电极层上镀制一层光电发射层；
步骤二所述HF溶液质量浓度为0.1％～1.5％，处理温度为25℃±2℃，处理时间为30s～200s；
步骤三所述HNO3溶液浓度为0.2mol/L～1.5mol/L，处理温度为25℃±2℃，处理时间为60s～600s；
步骤四所述NaOH溶液质量浓度为2％～8％，处理温度为25℃±2℃，处理时间为120s～400s。
2.如权利要求1所述的微结构增强反射式光阴极的制备方法，其特征在于：所述的物理气相沉积法为磁控溅射、真空热蒸发或电子束蒸发法。
3.如权利要求1所述的微结构增强反射式光阴极的制备方法，其特征在于：构成电极层的材料为与微结构增强基底附着性好的Cr、Ni或Cu，电极层厚度为100-300nm。
4.如权利要求1所述的微结构增强反射式光阴极的制备方法，其特征在于：构成光电发射层的材料为对X射线具有高光电转换效率的Au或CsI，光电发射层厚度为300-600nm。
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