[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 201510278089.2 | 申请日: | 2015-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN104882465A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
| 发明(设计)人: | 杨久霞;刘建涛;白峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光显示器件作为一种新型显示器件,具有色彩饱和度高、视角范围广等优点。
现有的R、G、B并置型发光二极管显示面板主要采用精细掩膜板蒸镀技术来形成子像素,制作工艺复杂,并且在产品良率提升和成本降低方面都存在瓶颈。此外,由于发光材料的性能差异,造成不同颜色的子像素之间发光效率和使用寿命差异也较大,难以满足显示器件在发光效率和使用寿命方面的要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,以提高产品的生产效率、良率、发光效率和使用寿命。
为解决上述技术问题,作为本发明的第一个方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括发光层,所述发光层包括多个发光像素单元,所述发光像素单元包括第一发光子像素、第二发光子像素和堆栈子像素,所述第一发光子像素包括由第一发光材料形成的第一发光结构,所述第二发光子像素包括由第二发光材料形成的第二发光结构,所述第一发光材料和所述第二发光材料分别为红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的任意两者,所述堆栈子像素包括由所述第一发光材料和所述第二发光材料层叠形成的堆栈发光结构。
优选地,所述第一发光子像素为红色发光子像素、所述第二发光子像素为绿色发光子像素,所述第一发光材料为红色发光材料、所述第二发光材料为绿色发光材料,所述堆栈子像素包括由红色发光材料和绿色发光材料层叠形成的堆栈发光结构。
优选地,在所述堆栈子像素中,所述红色发光材料位于所述绿色发光材料的上方。
优选地,在所述堆栈子像素中,所述绿色发光材料位于所述红色发光材料的上方。
优选地,所述堆栈子像素的上方设置有蓝色滤光块。
优选地,所述红色发光子像素的上方设置有红色滤光块,和/或,所述绿色发光子像素的上方设置有绿色滤光块。
优选地,所述显示面板包括阵列基板和依次设置在所述阵列基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、所述发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
优选地,所述红色发光子像素、所述绿色发光子像素、和所述堆栈子像素中的至少一者与所述空穴传输层之间还设置有空穴传输调整单元。所述空穴传输调整单元用于调节载流子的平衡,以提高发光效率。
优选地,所述阴极上方还设置有光提取层。
优选地,所述显示面板还包括封装玻璃,所述堆栈子像素的上方设置有蓝色滤光块,所述蓝色滤光块设置在所述封装玻璃上。
作为本发明的第二个方面,还提供一种显示装置,所述显示装置包括本发明所提供的上述显示面板。
作为本发明的第三个方面,还提供一种显示面板的制作方法,所述显示面板包括发光层,所述发光层包括多个发光像素单元,所述发光像素单元包括第一发光子像素、第二发光子像素和堆栈子像素,所述制作方法包括形成所述发光层的步骤,该形成所述发光层的步骤包括:
采用第一发光材料形成第一发光结构,以获得所述第一发光子像素;
采用第二发光材料形成第二发光结构,以获得所述第二发光子像素,其中,所述第一发光材料和所述第二发光材料分别为红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的任意两者;
采用所述第一发光材料和所述第二发光材料层叠形成堆栈发光结构,以获得所述堆栈子像素。
优选地,所述第一发光子像素为红色发光子像素、所述第二发光子像素为绿色发光子像素,所述第一发光材料为红色发光材料、所述第二发光材料为绿色发光材料,所述堆栈子像素包括由红色发光材料和绿色发光材料层叠形成的堆栈发光结构;
形成所述发光层的步骤包括:
采用所述红色发光材料形成所述第一发光结构,以获得所述红色发光子像素;
采用所述绿色发光材料形成所述第二发光结构,以获得所述绿色光子像素;
采用所述红色发光材料和所述绿色发光材料层叠形成所述堆栈发光结构,以获得所述堆栈子像素。
优选地,采用所述红色发光材料和所述绿色发光材料层叠形成所述堆栈发光结构的步骤包括:
采用所述红色发光材料形成第一子发光层;
采用所述绿色发光材料在所述第一子发光层上形成第二子发光层,所述第一子发光层和所述第二子发光层形成为所述堆栈发光结构。
优选地,所述第一子发光层与所述第一发光结构同步形成,所述第二子发光层与所述第二发光结构同步形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





