[发明专利]一种晶圆曝光顺序的优化方法有效

专利信息
申请号: 201510277863.8 申请日: 2015-05-27
公开(公告)号: CN104898378B 公开(公告)日: 2017-08-22
发明(设计)人: 王晓龙;陈力钧;李德建;朱骏 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,陈慧弘
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 曝光 顺序 优化 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆曝光顺序的优化方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤S01、提供待曝光晶圆;

步骤S02、预设多个透镜受热等级值,并检测当前透镜受热值;其中,所述透镜受热等级值包括第一阈值A、第二阈值B以及第三阈值C,所述第一阈值A<第二阈值B<第三阈值C;

步骤S03、根据当前透镜受热值选择曝光路径对硅片进行曝光;其中:

当透镜受热值<第一阈值A时,所述曝光路径从晶圆边缘开始,依次重复进行曝光;

当第一阈值A<透镜受热值<第二阈值B时,所述曝光路径从晶圆边缘开始,纵向间隔一曝光单元进行重复曝光;

当第二阈值B<透镜受热值<第三阈值C时,所述曝光路径从晶圆边缘开始,纵向间隔一曝光单元且横向间隔一列曝光单元进行重复曝光,或者仅纵向间隔一曝光单元进行重复曝光;具体的,曝光路径从晶圆边缘开始,纵向间隔一曝光单元进行曝光,到达该列曝光单元终点时,移动至间隔一列的曝光单元的端部,继续纵向间隔一曝光单元进行曝光,如此循环,直至完成晶圆曝光;

当透镜受热值>第三阈值C时,停止光刻机工作,等待透镜冷却。

2.根据权利要求1所述的晶圆曝光顺序的优化方法,其特征在于,步骤S03中,当透镜受热值<第一阈值A时,所述曝光路径从晶圆边缘开始,依次重复进行曝光,到达该列曝光单元终点时,移动至下列曝光单元的端部,继续依次重复进行曝光,如此循环,直至完成晶圆曝光。

3.根据权利要求1所述的晶圆曝光顺序的优化方法,其特征在于,步骤S03中,当第一阈值A<透镜受热值<第二阈值B时,所述曝光路径从晶圆边缘开始,纵向间隔一曝光单元进行曝光,到达该列曝光单元终点时,移动至相邻列曝光单元的端部,继续纵向间隔一曝光单元进行曝光,如此循环,直至完成晶圆曝光。

4.根据权利要求1所述的晶圆曝光顺序的优化方法,其特征在于,步骤S03中,当第二阈值B<透镜受热值<第三阈值C时,所述曝光路径从晶圆边缘开始,纵向间隔一曝光单元进行曝光,到达该列曝光单元终点时,移动至间隔一列的曝光单元的端部,继续纵向间隔一曝光单元进行曝光,如此循环,直至完成晶圆曝光。

5.根据权利要求1所述的晶圆曝光顺序的优化方法,其特征在于,所述晶圆划分为若干个曝光单元,各曝光单元的尺寸一致。

6.根据权利要求1所述的晶圆曝光顺序的优化方法,其特征在于,所述晶圆通过真空设备吸附在载片台上。

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