[发明专利]铜锌锡硫溅射靶及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电技术领域，特别涉及在制备铜锌锡硫薄膜太阳电池光吸收层时使用的溅射靶及其制备方法。

背景技术

薄膜太阳能电池成本低并且具有很高的光电转换效率。其中Cu(In,Ga)Se₂、CdTe化合物薄膜太阳电池的最高光电转化效率分别为21.7%和21.0%，是具有广阔应用前景的新型薄膜太阳电池。但是In、Ga、Te在地壳中储量的稀缺性和Cd的有毒特性都限制了CIGS和CdTe薄膜太阳电池的大规模应用。

近年来提出的铜锌锡硫（Cu₂ZnSnS₄，简写为CZTS）电池因为具有合适的禁带宽度（1.45~1.5 eV）、较高的理论光电转换效率（31%）和较高的光吸收系数（＞10⁴ cm^-1），并且各组成元素的储量丰富、环境友好，已成为理想的薄膜太阳能电池吸收层候选材料之一。从构成器件角度来看，CZTS与CdS具有很好的能级匹配，因此可以采用CIGS薄膜太阳能电池器件的结构，只需将CIGS吸收层替换为CZTS薄膜，便可得到CZTS薄膜太阳电池器件。CZTS薄膜太阳电池的典型结构为：金属电极/窗口层/过渡层/吸收层（CZTS）/金属背电极/衬底。其中CZTS层的质量直接决定CZTS薄膜电池的光电转化效率。

目前高效率CZTS基的薄膜太阳电池吸收层制备工艺主要有共蒸发法和联氨溶液法。共蒸发法制备得到的电池转化效率最高，但该方法工艺复杂，大面积范围内的均匀性差，不适于制备大面积电池。联氨溶液法制备过程中的联氨溶剂有剧毒，因此也不利于工业化应用。在尝试真空磁控溅射制备金属叠层预制膜加后续硫化制备CZTS吸收层的过程中，发现硫化退火过程中Sn元素极易流失。直接溅射CZTS四元靶制备CZTS薄膜是一种非常有前景的制备方法，其中CZTS四元靶材的质量直接影响CZTS薄膜乃至CZTS太阳能电池的性能。因此高质量CZTS四元靶材的开发极其重要。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种能够避免上述技术问题的铜锌锡硫溅射靶及其制备方法。

一种铜锌锡硫溅射靶，该铜锌锡硫溅射靶具有贫铜富锌的锌黄锡矿结构，含有Cu、Zn、Sn及S元素，该四种元素的原子比满足Cu/(Zn+Sn)<1且 Zn/Sn>1。

一种铜锌锡硫溅射靶的制备方法，包括：1) 机械合金化：将硫化亚铜粉末、硫化锌粉末和二硫化锡粉末按摩尔比为(0.5-1.3):(1-1.6):(0.4-1)，且不含1:1:1比例，在液态介质中进行球磨混合，再经烘干获得混合粉末；以及2) 将该混合粉末进行压制成型和烧结，得到具有贫铜富锌成分的铜锌锡硫溅射靶。

与现有技术相比，本发明提供一种具有贫铜富锌成分的铜锌锡硫四元溅射靶及其制备方法。所述溅射靶具有贫铜富锌的成分组成特点，制备工艺简单，经真空磁控溅射获得的CZTS薄膜可直接作为CZTS太阳能电池光吸收层，能有效地简化电池制备工艺，提高太阳电池器件的性能稳定性，具有良好的工业应用前景。

附图说明

图1为本发明实施例溅射靶的制备方法的流程图。

图2为本发明实施例溅射靶的XRD图谱。

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面将结合附图及具体实施例对本发明提供的贫铜富锌的铜锌锡硫溅射靶及其制备方法作进一步的详细说明。

本发明实施例首先提供一种贫铜富锌的铜锌锡硫溅射靶，具有CZTS的锌黄锡矿结构，含有Cu、Zn、Sn及S元素，该四种元素的原子比满足Cu/(Zn+Sn)<1且 Zn/Sn>1。该铜锌锡硫溅射靶由硫化亚铜(Cu₂S)粉末、硫化锌(ZnS)粉末和二硫化锡(SnS₂)粉末混合后烧结形成，其中Cu₂S粉末、ZnS粉末和SnS₂粉末的摩尔比为(0.5-1.3):(1.0-1.6):(0.4-1.0)，且不含1:1:1比例。所制靶材可以由化学式Cu_2xZn_1+ySnS_x+y+3表示，其中1≤x≤3.25，0≤y≤3。

该Cu元素在该铜锌锡硫溅射靶中的原子百分比优选为13%~37%，且不含25%。

该Zn元素在该铜锌锡硫溅射靶中的原子百分比优选为13%~27%。