[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置

权利要求书

1.一种电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包括：

位于衬底基板上的阴极层；其中，所述阴极层位于所述电致发光器件的出光侧，所述阴极层包括透明电极层和金属电极层。

2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括：功能层；其中，

所述金属电极层位于所述透明电极层与所述功能层之间；

所述功能层包括：依次远离所述阴极层的电子传输层、发光层、以及空穴传输层。

3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，

相对于所述衬底基板，所述阴极层位于所述功能层的上方。

4.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括：位于所述功能层下方的阳极层。

5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述功能层还包括：

空穴注入层、电子阻挡层以及电子注入层中的至少一种；其中，

所述空穴注入层位于所述阳极层与所述空穴传输层之间；

所述电子阻挡层位于所述空穴传输层与所述发光层之间；

所述电子注入层位于所述电子传输层与所述阴极层之间。

6.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括：位于所述阳极层下方的反射金属层。

7.根据权利要求1至6任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述金属电极层采用Mg、Ag、Li、Al中的至少一种金属材料构成。

8.根据权利要求1至6任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述透明电极层采用ITO、IZO、FTO中的至少一种材料构成。

9.根据权利要求1至6任一项所述的电致发光器件，其特征在于，

所述金属电极层的厚度为2～15nm；

所述透明电极层的厚度为5～40nm。

10.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底基板上形成阴极层的步骤；其中，

形成的所述阴极层位于所述电致发光器件的出光侧，所述阴极层包括透明电极层和金属电极层。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成阴极层的步骤之前，所述制备方法还包括：

在衬底基板上形成功能层的步骤；其中，形成的所述功能层包括：依次远离所述阴极层的电子传输层、发光层、以及空穴传输层；

所述在衬底基板上形成阴极层的步骤具体包括：

在形成的所述功能层上形成金属电极层；

采用低温成膜工艺，在形成的所述金属电极层上形成透明电极层；其中，所述低温成膜工艺的成膜温度小于等于100℃。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述低温成膜工艺包括：负离子束溅镀法、低温化学气相沉积法中的至少一种。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成功能层的步骤之前，所述制备方法还包括：

在所述衬底基板上形成阳极层。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，形成的所述功能层还包括：

空穴注入层、电子阻挡层以及电子注入层中的至少一种；其中，

在形成所述阳极层之后，且形成所述空穴传输层之前，所述制备方法还包括：形成所述空穴注入层；

在形成所述空穴传输层之后，且形成所述发光层之前，所述制备方法还包括：形成所述电子阻挡层；

在形成所述电子传输层之后，且形成所述阴极层之前，所述制备方法还包括：形成所述电子注入层。

15.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成阳极层之前，所述制备方法还包括：

在所述衬底基板上形成反射金属层。

16.根据权利要求10至15任一项所述的制备方法，其特征在于，

形成的所述金属电极层的厚度为2～15nm；

形成的所述透明电极层的厚度为5～40nm。

17.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括位于衬底基板上的如权利要求1至9任一项所述的电致发光器件。