[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底的两侧设置本征层，形成异质结太阳能电池的第一结构；

通过等离子体对所述第一结构中的所述本征层界面去氧化处理，并在处理后的所述第一结构的两侧分别设置掺杂层，形成第二结构；

在所述第二结构的两侧分别形成透明导电层，作为前电极和后电极；或者在所述第二结构的一侧形成透明导电层作为前电极，另一侧形成透明导电氧化物与金属复合层作为复合背电极。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述通过等离子体对所述第一结构中的所述本征层界面去氧化处理，并在处理后的所述第一结构的两侧分别设置掺杂层，形成第二结构，具体为，将所述第一结构其中一侧本征层的界面去氧化处理和设置掺杂层在同一腔室完成，将所述第一结构中的另一侧本征层界面去氧化处理和设置掺杂层在另一同一腔室完成，或者，所述第一结构其中一侧本征层的界面去氧化处理和设置掺杂层分别在不同腔室完成，所述第一结构中的另一侧本征层界面去氧化处理和设置掺杂层分别在不同腔室完成。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述等离子体采用氢等离子体或者氩等离子体。

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：采用所述氢等离子体刻蚀条件为：所述蚀刻温度范围为大于等于150度，小于等于250度。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述氢等离子体的气压范围为大于等于0.1mbar，小于等于1.0mbar。

6.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：向所述氢等离子体的流量范围为大于等于200sccm，小于等于1200sccm。

7.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述氢等离子体的溅射功率范围为大于等于100w，小于等于1000w；频率范围为大于等于13.56MHz，小于等于70MHz。

8.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述氢等离子的刻蚀时间范围大于等于1秒，小于等于100秒。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述氢等离子的刻蚀时间为20秒。

10.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在形成所述第二结构中，采用等离子体增强化学气相沉积法或热丝化学气相沉积法去氧化处理。

11.一种异质结太阳能电池，其特征在于：异质结太阳能电池采用如上述权利要求1至10任意一项所述的异质结太阳能电池制备方法制备而成。