[发明专利]电流或者电压的感测在审

专利信息
申请号: 201510272041.0 申请日: 2015-05-25
公开(公告)号: CN105137160A 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: A·基普;S·威尔科费尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01R19/25 分类号: G01R19/25;G01R19/32
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 电流 或者 电压
【权利要求书】:

1.一种电路,包括:

电子开关元件,以及

温度补偿元件,其中所述温度补偿元件布置在所述电子开关元件的附近。

2.根据权利要求1所述的电路,其中所述温度补偿元件嵌入在所述电子开关元件中。

3.根据权利要求1所述的电路,其中所述温度补偿元件串联连接在所述电子开关元件的电流路径中。

4.根据权利要求1所述的电路,其中所述电子开关元件包括至少一个晶体管,尤其是至少一个IGBT和/或至少一个MOSFET。

5.根据权利要求1所述的电路,其中所述温度补偿元件包括电阻器和/或电阻性元件。

6.根据权利要求1所述的电路,其中所述温度补偿元件具有正温度系数。

7.根据权利要求6所述的电路,其中所述温度补偿元件和所述电子开关元件与附加电阻器串联连接,其中感测电流在所述温度补偿元件与所述附加电阻器之间可获得。

8.根据权利要求1所述的电路,其中所述温度补偿元件具有负温度系数。

9.根据权利要求8所述的电路,其中所述温度补偿元件包括具有负温度系数的至少一个二极管。

10.根据权利要求9所述的电路,其中所述至少一个二极管与至少一个附加电阻器串联连接,其中感测电流跨包括所述至少一个二极管和所述至少一个附加电阻器的所述串联连接可获得。

11.根据权利要求1所述的电路,其中所述温度补偿元件包括下列各项中的至少一项:

—镍;

—铝;

—掺杂多晶硅;

—铍(超过100K100%);

—钛;

—氮化钛;

—钨;

—钨化钛;

—钽;

—氮化钽;以及

—铜。

12.根据权利要求1所述的电路,其中所述电子开关元件包括至少两个晶体管。

13.根据权利要求1所述的电路,其中所述电子开关元件包括共用公共功能单元的至少两个晶体管。

14.根据权利要求12所述的电路,

—其中所述电子开关元件包括第一晶体管和第二晶体管,

—其中所述第一晶体管和所述第二晶体管位于相同的芯片上,

—其中所述第一晶体管和所述第二晶体管并联连接,从而使得所述第一晶体管承载与所述第二晶体管所承载的电流成比例的电流,以及

—其中所述温度补偿元件串联连接在所述第一晶体管的电流路径中。

15.根据权利要求12所述的电路,

—其中所述电子开关元件包括第一晶体管和第二晶体管,

—其中所述第一晶体管和所述第二晶体管位于相同的衬底上,

—其中所述第一晶体管的功能单元小于所述第二晶体管的功能单元,

—其中所述第一晶体管与所述温度补偿元件串联连接,

—其中所述第一晶体管的栅极连接至所述第二晶体管的栅极,以及

—其中所述第一晶体管的集电极连接至所述第二晶体管的集电极。

16.根据权利要求15所述的电路,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管共用功能单元,其中所述功能单元的更小的部分用于所述第一晶体管。

17.根据权利要求1所述的电路,其中所述电路布置在单个芯片或者裸片上,尤其布置在集成电路的部分上。

18.一种用于在电路中感测电流或者电压的方法,所述电路包括电子开关元件和温度补偿元件,其中所述温度补偿元件布置在所述电子开关元件的附近,所述方法包括:

—经由所述电路,来确定所述电压或者所述电流是否达到或者超过预定阈值;以及

—如果所述电压或者所述电流达到或者超过了所述预定阈值,那么进行预定动作。

19.根据权利要求18所述的方法,其中所述预定动作包括下列各项中的至少一项:

—中断电流;

—控制所述电流或者所述电压;

—设置错误标志;

—向处理设备、微控制器或者处理器提供信号;以及

—断开至少一个晶体管。

20.一种用于电压或者电流的感测的电路,包括:

—电子开关元件和温度补偿元件,其中所述温度补偿元件布置在所述电子开关元件的附近,

—用于基于经由所述温度补偿元件所感测到的感测电压或者感测电流来确定电压或者电流是否达到或者超过预定阈值的装置,

—用于如果所述电压或者所述电流达到或者超过了所述预定阈值那么进行预定动作的装置。

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