[发明专利]一种基于陷阱控制的半导体电容器件及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种基于陷阱控制的半导体电容器件，其特征在于，包括电容区以及漏区，所述电容区和漏区之间设有上下叠放的氧化绝缘层和衬底构成的沟道区；所述电容区顶部覆盖氧化隔离层；所述沟道区底部设有衬底电极层；所述氧化绝缘层顶部覆盖控制栅电极层；所述漏区顶部设有控制漏电极层，所述控制漏电极层周边设有氧化隔离层。

2.如权利要求1所述的基于陷阱控制的半导体电容器件，其特征在于，所述衬底为P型衬底。

3.如权利要求1所述的基于陷阱控制的半导体电容器件，其特征在于，所述衬底为N型衬底。

4.权利要求1～3任一项所述的基于陷阱控制的半导体电容器件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)选取高掺杂的N型或P型材料，在衬底表面生长一层氧化隔离层，通过光刻确定电容区、漏区以及沟道区，刻蚀掉沟道区域上面的氧化隔离层，通过离子注入法或扩散法形成P型衬底或者N型衬底，并将衬底刻蚀一部分并氧化形成氧化层；

(2)在电容区和漏区上生长一层氧化隔离层；

(3)通过光刻及刻蚀掉控制栅电极层和控制漏电极层位置上的氧化隔离层；

(4)通过金属淀积工艺，分别形成控制栅电极层、控制漏电极层和衬底电极层。

5.权利要求1～3任一项所述的基于陷阱控制的半导体电容器件的应用方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)当漏端电压V_D大于0V时，栅电压被设置对应的沟道耗尽状态，将产生的空穴注入进电容区，为电容区充电；

(2)当漏端电压V_D小于0V时，栅电压被设置对应的沟道耗尽状态，电容区的空穴被抽取到沟道区中参与复合，为电容区放电。