[发明专利]IGBT背面金属化退火的工艺方法有效
| 申请号： | 201510270323.7 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN104992965B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 马彪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 背面 金属化 退火 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGBT背面金属化退火的工艺方法，其特征在于：包括：
第一步，在正面工艺完成之后， 进行背面减薄、离子注入及退火工艺；
第二步，进行90秒1:100的缓冲氢氟酸清洗；
第三步，形成Al、Ti、Ni、Ag的背面金属；
第四步，将硅片与硅片背面紧贴，中间不留空隙，采用常压的氮气氛围进行350摄氏度60分钟的常压炉管工艺。
2.如权利要求1所述的IGBT背面金属化退火的工艺方法，其特征在于：所述第一步中，退火工艺采用激光退火。
3.如权利要求1所述的IGBT背面金属化退火的工艺方法，其特征在于：所述第三步中，背面金属各层的厚度为Al 1800～2200埃，Ti 1800～2200埃，Ni 1800～2200埃,Ag 7200～8800埃。
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