[发明专利]一种PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法

权利要求书

1.一种PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法，其特征在于，所述方法以不锈钢、镍合金或耐热钢材料作为半导体装备用抗高温蠕变接地基片的基体，采用PVD技术在所述基体表面制备无氧化纯铝涂层，制得半导体装备用抗高温蠕变接地基片；

具体步骤如下：

(1)所述基体的前处理：将所述基体表面先进行纹理处理，纹理处理工艺参数为：320#砂纸抛光，去除基体表面积碳层，再用无水乙醇进行清洗；

(2)采用物理气相沉积工艺制备纯铝涂层，利用PVD真空镀膜系统，使气态的铝原子定向沉积于所述基体表面，形成无氧化纯铝涂层；物理气相沉积工艺参数如下：距离550mm，阴极电压20～40V，电流70～90A，真空度1×10^-3～6×10^-3Pa，辅助沉积电压800V，辅助沉积电流1A，纯铝涂层厚度1～50微米。

2.根据权利要求1所述的PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法，其特征在于，所述PVD真空镀膜系统包括：真空室、转架、金属阴极、聚焦线圈、电源、辅助阴极、阳极、电压表和偏转电磁线圈，两个转架对称设置于真空室中，转架之间设置偏转电磁线圈，金属阴极与偏转电磁线圈相对应；转架与辅助阴极相对应，在辅助阴极与转架之间的通道两侧分别设置阳极，辅助阴极与转架上的所述基体之间设置电压表，金属阴极通过电源供电，金属阴极的两侧设置聚焦线圈。

3.根据权利要求2所述的PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法，其特征在于，所述转架的外部为环形带，环形带设置一处开口，开口处以弹簧连接。