[发明专利]像素结构以及显示面板在审

专利信息
申请号: 201510267147.1 申请日: 2015-05-22
公开(公告)号: CN104820323A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: 叶昭纬;古正彬;丁天伦;徐文浩 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1337;G02F1/1362
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 以及 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素结构,其特征在于,包括:

一基板;

一对向基板,设置于该基板上,且该对向基板于面对该基板的一侧上具有一共通电极;

一扫描线以及一数据线,形成于该基板上;

一主动元件,形成于该基板上且与该扫描线以及该数据线电线连接;

一像素电极,与该主动元件电性连接,该像素电极具有至少一块状电极以及多个第一分支电极;以及

一保护层,位于该像素电极的下方,该保护层具有至少一块状突起图案、多个分支突起图案以及多个凹槽,其中

该像素电极的该块状电极顺应性地覆盖在该保护层的该些分支突起图案上,以使该块状电极根据该些分支突起图案而突起,以形成多个第二分支电极,

该像素电极的该些第一分支电极位于该保护层的该块状突起图案上,

该像素电极的该块状电极的一边缘更延伸至该保护层的该块状突起图案上,

该块状电极的一正投影边缘与最邻近的第一根第一分支电极的一正投影边缘之间具有一正投影间隙W1,且0μm<W1≦4μm,且

该块状电极的该正投影边缘与该块状突起图案的一正投影边缘之间具有一正投影距离为W2,且2μm≦W2≦5.5μm。

2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该保护层的该些凹槽的深度介于0.1μm与0.3μm之间。

3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,

该像素电极更包括一主干电极,且该些第一分支电极与该主干电极连接;以及

该保护层更包括一主干突起图案,且该些分支突起图案与该主干突起图案连接,其中该像素电极的该主干电极与该保护层的该主干突起图案交错。

4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,该像素电极的该块状电极位于该主干电极的两侧,且该保护层的该块状突起图案位于该主干突起图案的两侧。

5.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,该像素电极更包括多个外侧分支电极,其与该块状电极连接。

6.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,该保护层更包括至少一块状图案,且该外侧分支电极设置于该些块状图案上。

7.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,

该像素电极更包括一第一主干电极以及一第二主干电极,且该像素电极的该些第一分支电极包括与该第一主干电极连接的多个第一子分支电极以及与该第二主干电极连接的多个第二子分支电极,该块状电极位于该些第一子分支电极以及该些第二子分支电极之间;以及

该保护层更包括一第一主干突起图案以及一第二主干突起图案,且该保护层的该些分支突起图案包括与该第一主干突起图案连接的多个第一分支突起图案以及与该第二主干突起图案连接的多个第二分支突起图案,其中该块状突起图案位于该些第一子分支电极与该些第二子分支电极的正投影下方,以使得该块状突起图案与该些第一子分支电极以及该些第二子分支电极重迭。

8.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,

该像素电极的该块状电极包括多个子块状电极,且在相邻的两个子块状电极之间具有该些第一分支电极中至少一个第一分支电极;以及

该保护层的该块状突起图案包括多个子块状突起图案,且在相邻的两个子块状突起图案之间具有该些分支突起图案中至少一个分支突起图案。

9.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,W1为2μm,且W2为3μm。

10.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,更包括一彩色滤光层,该彩色滤光层形成于该基板上且位于该保护层的下方。

11.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该些第一分支电极的宽度介于1μm至10μm的范围内,且该些第一分支电极的间距介于1μm至10μm的范围内。

12.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该些分支突起图案的宽度介于1μm至10μm的范围内,且该些分支突起图案的间距介于1μm至10μm的范围内。

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