[发明专利]超高比容量介孔Co3O4纳米片电极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种超高比容量介孔Co₃O₄纳米片电极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)采用泡沫镍作为工作电极的三电极系统，以Co(NO₃)₂和KCl的混合水溶液为电解质溶液，在泡沫镍表面通过恒电流沉积Co(OH)₂纳米片，得Co(OH)₂纳米片前驱体；

2)将步骤1)获得的Co(OH)₂纳米片前驱体进行清洗、干燥，之后在350～450℃进行高温退火，其升温速率为1～20℃/min，退火时间为2～4h，得介孔Co₃O₄纳米片电极材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合水溶液，其中Co(NO₃)₂和KCl的浓度均为0.1～1mol/L。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述三电极系统以泡沫镍作为工作电极、铂片作为对电极、232甘汞电极作为参比电极。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述恒电流沉积在室温下进行，所述恒电流沉积所采用的电流密度为5～15mA cm^-2，恒电流沉积时间不超过20min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述泡沫镍在使用前先后经HCl水溶液、丙酮、酒精、去离子水超声清洗，然后进行真空干燥；步骤2)中所述Co(OH)₂纳米片前驱体在进行高温退火前，先依次经去离子水、酒精清洗。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述介孔Co₃O₄纳米片电极材料其纳米片厚为5～10nm，Co₃O₄纳米片的介孔直径为2～5nm。

7.一种采用如权利要求1～6任一项所述的制备方法制得的超高比容量介孔Co₃O₄纳米片电极材料。