[发明专利]微型发光二极管

权利要求书

1.一种微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管包含：

第一型半导体层；

第二型半导体层，其设置于所述第一型半导体层之上；

第一介电层，其覆盖所述第二型半导体层远离该第一型半导体层的表面，且所述第一介电层具有至少一个开口，以至少暴露所述第二型半导体层的一部分，其中所述第一介电层的开口的边缘与所述第二型半导体层的侧表面之间具有第一最短路径，所述第一最短路径大于或等于1微米；

第一电极，其设置于所述第一介电层的至少一部分上，且所述第一电极至少部分覆盖所述第一介电层，並通过所述第一介电层的开口与所述第二型半导体层暴露的部分电性连接；

第二介电层，其设置于所述第一型半导体层上，且第二介电层具有至少一个开口，以至少暴露所述第一型半导体层的一部分，其中所述第二介电层的开口的边缘与所述第一型半导体层的侧表面之间具有第二最短路径，所述第二最短路径大于或等于1微米；以及

第二电极，其设置于所述第二介电层的至少一部分上，且所述第二电极通过所述第二介电层的开口与所述第一型半导体层暴露的部分电性连接。

2.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一介电层的开口的侧表面与所述第二型半导体层的侧表面之间具有几何加权平均距离，所述几何加权平均距离大于或等于1微米。

3.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层具有电阻率ρ₁与厚度t₁，所述第二型半导体层具有电阻率ρ₂与厚度t₂，且

4.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层为n型半导体层，所述第二型半导体层为p型半导体层。

5.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层的电流扩散长度大于所述第二型半导体层的电流扩散长度的20倍。

6.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层具有电阻率ρ₁与厚度t₁，所述第二型半导体层具有电阻率ρ₂与厚度t₂，且

7.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层为p型半导体层，所述第二型半导体层为n型半导体层。

8.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一介电层的开口数量介于1个至1000个之间。

9.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一介电层的开口从垂直所述第一介电层的方向观察的面积占所述第一介电层从垂直所述第一介电层的方向观察的总面积的2.5％至90％之间。

10.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一介电层至少覆盖所述第二型半导体层远离所述第一型半导层体的主表面的一部分。

11.如权利要求10所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一介电层至少覆盖所述第二型半导体层的侧表面的一部分。

12.如权利要求11所述的微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管还包含：

主动层，其设置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，其中所述第一介电层至少覆盖所述主动层的侧表面的一部分。

13.如权利要求12所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一介电层至少覆盖所述第一型半导体层的侧表面的一部分。