[发明专利]分子平面平行于Si/SiO2表面的卟啉单分子层的制备方法有效
| 申请号： | 201510252654.8 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104882540B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 高德青;朱杰;陈乃武;郑朝月;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211800 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分子 平面 平行 si sio sub 表面 卟啉 单分子层 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备用于修饰有机薄膜晶体管衬底Si/SiO2表面而以face-on方式排列的卟啉分子层的方法，其特征在于在Si/SiO2表面自组装一层3-马来酰亚胺基丙基三乙氧基硅烷分子，再利用卟啉分子末端的四个官能团与3-马来酰亚胺基丙基三乙氧基硅烷中的双键发生化学键合形成一层卟啉分子，其大环结构平行于衬底表面，以face-on方式排列。
2.根据权利要求1所述的一种制备用于修饰有机薄膜晶体管衬底Si/SiO2表面而以face-on方式排列的卟啉分子层的方法，其特征在于与卟啉形成络合物的金属离子为Zn2+，Fe2+，Cu2+，Ni2+，Co2+中的任意一个。
3.根据权利要求1所述的一种制备用于修饰有机薄膜晶体管衬底Si/SiO2表面而以face-on方式排列的卟啉分子层的方法，其特征在于卟啉分子侧链末端的官能团为氨基(-NH2)、巯基(-SH)中的任意一个。
4.根据权利要求1所述的一种制备用于修饰有机薄膜晶体管衬底Si/SiO2表面而以face-on方式排列的卟啉分子层的方法，其特征在于卟啉分子侧链碳原子的个数为3-11中的任意一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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