[发明专利]一种高温低压的硅片扩散方法

权利要求书

1.一种高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将制绒后的硅片放入扩散炉中；

（2）抽真空使扩散炉中的压强保持在0.001~0.5大气压；

（3）升温至800~850℃，恒温稳定1~3min；

（4）在POCl₃、N₂和O₂混合气体的氛围中，将硅片在沉积温度800~850℃的条件下进行第一沉积，沉积4~6min；

（5）在N₂和O₂混合气体的氛围中，升温至810~860℃，将第一沉积后的硅片进行第一推进，推进3~5min；

（6）在POCl₃、N₂和O₂混合气体的氛围中，将第一推进后的硅片在沉积温度810~860℃的条件下进行第二沉积，沉积3~5min；

（7）在N₂和O₂混合气体的氛围中，升温至820~870℃，将第二沉积后的硅片进行第二推进，推进2~4min；

（8）在POCl₃、N₂和O₂混合气体的氛围中，将第二推进后的硅片在沉积温度820~870℃的条件下进行第三沉积，沉积2~4min；

（9）在N₂和O₂混合气体的氛围中，升温至830~880℃，将第三沉积后的硅片进行第三推进，推进1~3min；

（10）使炉内温度降至800~850℃，出炉，得到含有PN结的硅片。

2.如权利要求1所述高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，步骤（4）第一沉积过程中POCl₃流量为200~250 sccm，N₂流量为5~10 slm，O₂流量为100~150 sccm。

3.如权利要求1或2所述高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，步骤（5）第一推进过程中N₂流量为5~10 slm，O₂流量为100~150 sccm。

4.如权利要求1或3所述高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，步骤（6）第二沉积过程中POCl₃流量为150~200 sccm，N₂流量为5~10 slm，O₂流量为50~100 sccm。

5.如权利要求1或4所述高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，步骤（7）第二推进过程中N₂流量为5~10 slm，O₂流量为50~100 sccm。

6.如权利要求1或5所述高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，步骤（8）第三沉积过程中POCl₃流量为100~150 sccm，N₂流量为5~10 slm，O₂流量为25~75 sccm。

7.如权利要求1或6所述高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，步骤（9）第三推进过程中N₂流量为5~10 slm，O₂流量为25~75 sccm。

8.如权利要求1或7所述高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，步骤（5）、（7）和（9）的第一推进、第二推进和第三推进升温过程中升温速度皆为5~8℃/min。

9.如权利要求1所述高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，所述扩散炉与真空泵相连以实现降低炉内压力。