[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，尤其是涉及将形成在晶片的外周的倒角部部分性去除的边缘修剪方法。

背景技术

在半导体晶片的表面上形成有IC、LSI等大量器件，并且一个个器件通过形成为格子状的分割预定线(间隔道)而划分，通过磨削装置对该半导体晶片的背面进行磨削而加工为规定的厚度后，通过切削装置(Dicing(划线)装置)沿着分割预定线进行切削而被分割为一个个器件，分割出的器件被广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。

伴随近年来的电子设备的小型化，要求将形成有多个器件的半导体晶片(下文中有时简称为晶片)最终磨削得更薄，例如100μm以下，进而50μm以下。此外，根据器件的不同，还存在在背面磨削之后实施例如将背面用金属膜覆盖的步骤、或者对背面进行清洗的步骤等其他步骤的情况。

另一方面，为了防止晶片在制造工序中破裂或者产生灰尘而在其外周上形成有从晶片的表面直至背面的圆弧状的倒角。由此，如果将晶片磨削得较薄，则外周的倒角部分形成为刀刃状。如果晶片外周的倒角部分形成为刀刃状，则会产生从外周发生缺损而使晶片破损的问题。

因此，在日本特开2007-152906号公报中提出了如下加工方法：通过切削刀具将外周的倒角部部分性去除后，即实施了边缘修剪加工后，对晶片的背面进行磨削直至晶片的厚度达到器件的最终厚度。

专利文献1：日本特开2007-152906号公报

但是，如果使切削刀具从晶片的表面切入晶片的倒角部来实施边缘修剪加工，则因加工而产生的污染物会附着在晶片的表面的器件上。由于如果在器件表面附着有污染物则会成为引起器件不良等的原因，因此成为问题。

发明内容

本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，即使实施边缘修剪加工也能够降低引起器件不良的可能。

根据本发明，提供一种晶片的加工方法，该晶片在表面上具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕所述器件区域的外周剩余区域，在外周缘部上具有从表面至背面的圆弧状的倒角部，其特征在于，该晶片的加工方法具备：片材粘贴步骤，经由配设在所述外周剩余区域的粘合剂将相对于晶片具有密合性以及粘力的片材粘贴到晶片的表面上；以及去除步骤，在实施了所述片材粘贴步骤后，从晶片的表面使切削刀具以规定的深度切入所述倒角部并且沿外周缘切削所述晶片来去除所述倒角部的一部分，并且至少使与所述器件区域相邻的一部分的所述粘合剂残存。

优选所述晶片的加工方法还具有磨削步骤，在实施了所述去除步骤后，对晶片的背面进行磨削直至所述器件的最终厚度，在所述去除步骤中，使所述切削刀具从晶片的表面切入直至所述最终厚度的深度。

在本发明中，在实施去除步骤(边缘修剪加工)前，将相对于晶片具有密合性以及粘力的片材粘贴到晶片的表面。因而，因去除步骤的切削而产生的污染物会附着到片材上，而不会附着到器件表面上。

进而，由于片材通过配设于外周剩余区域的粘合剂而被粘贴到晶片上，因此防止了此后将片材从晶片上剥离时在器件上残存糊或者粘合剂。因而，能够降低因异物附着于器件上而引起的器件不良的可能。

附图说明

图1是半导体晶片的表面侧立体图。

图2是示出片材粘贴步骤的剖视图。

图3是示出去除步骤的局部剖视侧视图。

图4是实施去除步骤后的晶片的剖视图。

图5是示出磨削步骤的局部剖视侧视图。

标号说明

11：半导体晶片；11e：倒角部；12：切削单元；15：器件；16：切削刀具；17：器件区域；18：圆形凹部；19：外周剩余区域；20：磨削单元；23：粘合剂；25：片材；26：磨轮；30：磨具。

具体实施方式

下面参照附图对本发明的实施方式进行详细的说明。参照图1，示出了半导体晶片11的表面侧立体图。半导体晶片(下文中有时简称为晶片)11例如由厚度为700μm的硅晶片构成，在其表面11a上，多个分割预定线(间隔道)13形成为格子状，并且在由多个间隔道13划分出的各区域中形成有IC、LSI等器件15。

这样构成的晶片11在其表面的平坦部上具备：器件区域17，其上形成有器件15；以及外周剩余区域19，其围绕器件区域17。在晶片11的外周部形成有圆弧状的倒角部11e。标号21是作为示出硅晶片的结晶方向的标记的缺口。