[发明专利]一种高温高强TiAl-Nb单晶及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510244611.5 申请日: 2015-05-13
公开(公告)号: CN104878452A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 陈光;祁志祥;彭英博;郑功;王敏智;李沛 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C30B29/52 分类号: C30B29/52;C30B13/00;C22C14/00
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 邹伟红;朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高温 高强 tial nb 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于轻质高强结构材料技术领域,具体涉及一种高温高强TiAl-Nb单晶及其制备方法。

背景技术

TiAl合金具有低密度、高比强、良好的高温性能以及优异的抗氧化性能等优点,是以克为减重单位的航空航天高温用,特别是发动机用最佳候选材料。美国GE公司成功利用Ti-48Al-2Cr-2Nb(4822)合金研制了波音飞机后两级低压涡轮叶片,使飞机减重200Kg左右。高Nb-TiAl合金与常规TiAl合金相比,能够显著提高其抗氧化性和抗蠕变能力,由于Nb的熔点高,可提高合金使用温度60-100℃,室温强度提高300-500MPa,是发展高温高性能TiAl合金的首例。采用定向凝固方法制造具有单晶或者柱状晶组织的TiAl合金,可提高合金的室温塑性、高温抗疲劳及抗蠕变性能,并且可以阻止裂纹扩展。

由于传统制备高Nb-TiAl单晶的方法为Bridgman定向凝固,坩埚保护涂层会扩散到合金熔体中,形成杂质而影响力学性能。光学浮区制备单晶可避免该缺点,但是其温度梯度小,制备成功率低,所以至今并没有高Nb-TiAl单晶的高温力学性能测试。此外,Nb元素为β相稳定元素,过高的Nb元素会造成定向凝固试样中存在较多的室温残留偏析相,该偏析相为富Nb少Al的脆性相,会降低合金力学性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高温高强TiAl-Nb单晶及其制备方法。通过采用光学浮区晶体生长系统进行缩颈选晶高效定向凝固,并通过合理热处理在不引入杂晶和粗化片层基础上,消除脆性有害相,成功地获得了韧脆转变温度达到900℃以上的高温高强TiAl-Nb单晶。

实现本发明目的的技术解决方案为:一种高温高强TiAl-Nb单晶材料,按原子百分比计,合金成分为:Ti-(43~47)Al-(6~10)Nb-(0.1~1)(C、Si),其余为Ti。

上述高温高强TiAl-Nb单晶材料的制备方法包括以下步骤:

(1)按合金原子百分比称重原材料,惰性气氛保护下,采用电磁感应悬浮熔炼法反复熔炼纽扣状TiAl-Nb母合金铸锭;

(2)采用差压吸铸或者重力铸造制备TiAl-Nb圆棒试样,并作为籽晶棒和送料棒;

(3)采用光学浮区晶体生长系统对TiAl-Nb圆棒试样进行定向凝固,下端为长度在20-30mm的籽晶棒,上端为长度小于190mm的送料棒,并对送料棒进行缩颈选晶处理;定向凝固时首先将送料棒与籽晶棒同轴且垂直于水平面设置,送料棒与籽晶棒间隔1-3mm,且该间隔位于四个灯丝聚焦中心处;通入流量在3~5L/min的惰性气体(氩气或者氮气)进行保护,并调节籽晶棒和送料棒以相反方向旋转,转速为20~40r/min,在6-12min之内将功率均匀升至65-70%加热熔化合金;调整送料棒与籽晶棒相互接触,保温5-10min后当浮区稳定时,调节生长速率为5~30mm/h,开始进行定向凝固,凝固结束后缓慢降低功率,同时并将已凝固试样与剩余送料棒试样进行缓慢分离;

(4)将TiAl-Nb单晶合金进行去偏析真空热处理。

其中,步骤(1)中,熔炼次数不少于4次。

步骤(2)中,差压吸铸时,压强差保持在3MPa,重力铸造时,保护气体压强在三分之二的标准大气压;所制备的母合金圆棒试样尺寸为Φ(4~8)mm。

步骤(4)中,对单晶棒进行工艺为“1250℃×24h+900℃×30min+空冷”的去偏析真空热处理。

本发明与现有技术相比,其显著优点为:

(1)本发明通过调节Nb元素含量,并添加少量C和Si强化元素,可有效改善合金高温力学性能。

(2)本发明通过对送料棒进行缩颈选晶光学浮区定向凝固,可避免传统Bridgman定向凝固带来合金污染问题,而且快速高效得到TiAl-Nb单晶。

(3)运用真空热处理可消除了富Nb脆性偏析相,而且避免了片层粗化。

(4)该方法制备工艺简单,快速高效,成本低,高温强度显著提高,具有普遍适用性及推广价值。

下面结合附图对本发明作详细描述。

附图说明

图1是为TiAl-Nb单晶凝固时固液界面形貌(a)以及缩颈选晶原理示意图(b)。

图2是TiAl-Nb合金定向凝固后得到的光学形貌。

图3是TiAl-Nb单晶热处理前(a)后(b)偏析扫描电镜图片。

图4是TiAl-Nb单晶热处理前(a)后(b)片层间距图片。

图5是TiAl-Nb在900℃下拉伸的位移强度曲线。

实施例1

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