[发明专利]一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法

权利要求书

1.一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置，其特征在于，所述装置包括：

在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元，所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻，所述限流电阻一端连接所述高速硅基场控器件的源极，另一端连接所述高速硅基场控器件的漏极；

所述碳化硅双极结型晶体管的集电极与电流检测器件连接，所述电流检测器件与所述高速硅基场控器件的栅极和源极连接；

所述碳化硅双极结型晶体管的发射极接地。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述高速硅基场控器件的阈值电压为0伏。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述高速硅基场控器件采用为半导体场效晶体管或者结型场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电流检测器件包括霍尔传感器和一个输出电阻，所述霍尔传感器与所述输出电阻串联连接，并且所述输出电阻的两端分别并联于所述高速硅基场控器件的栅极与源极。

5.一种基于权利要求1至4任一项所述装置的碳化硅双极结型晶体管的静态驱动方法，其特征在于，所述方法包括：

电流检测器件实时获取碳化硅双极结型晶体管的集电极的电流值；

根据所述集电极的电流值得到高速硅基场控器件的门极电压；

根据所述高速硅基场控器件的门极电压确定可变电阻单元的电阻值；

根据所述驱动电源与所述可变电阻单元的电阻值确定碳化硅双极结型晶体管基极的驱动电流。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电流检测器件包括霍尔传感器和一个输出电阻，所述霍尔传感器与所述输出电阻串联连接，并且所述输出电阻的两端分别并联于所述高速硅基场控器件的栅极与源极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述集电极的电流值得到高速硅基场控器件的门极电压的步骤，包括：

所述霍尔传感器根据所述集电极的电流经过与所述霍尔传感器串联的输出电阻输出一个输出电压；

将所述输出电压作为所述高速硅基场控器件的门极电压。