[发明专利]一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法有效
申请号: | 201510241054.1 | 申请日: | 2015-05-12 |
公开(公告)号: | CN104835708B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 赵波;王楠;姜国华 | 申请(专利权)人: | 江苏师范大学 |
主分类号: | H01J29/04 | 分类号: | H01J29/04;H01J31/12;H01J1/304 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 221116 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 石墨 发射 平板 显示 制备 方法 | ||
1.一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
步骤一,在衬底上涂覆光刻胶;
步骤二,对所述光刻胶进行图形化,使所述衬底上暴露需要制备场发射点的区域;
步骤三,镀覆金属薄膜;
步骤四,在所述金属薄膜上磁场辅助沉降镍纳米颗粒;
步骤五,在真空炉中对步骤四得到的样品进行热处理;
步骤六,在步骤五得到的样品表面沉积氧化石墨烯;
步骤七,除去样品上剩余的光刻胶,得到场发射点阵;
步骤八,对场发射点阵进行布线;
步骤九,在步骤八得到的样品上方平行放置镀有荧光粉的ITO玻璃片,样品与所述玻璃片用绝缘材料隔开一定距离,制成场发射平板模块;
步骤十,使用单片机和移位寄存器数组成外围电路,结合所述场发射平板模块实现屏显。
2.根据权利要求1所述的一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,步骤一中,所述衬底选自玻璃、陶瓷、含有绝缘层的硅、含有绝缘层的锗、聚乙烯、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯之中的一种;所述光刻胶选自双叠氮系光刻胶、酚醛树脂系光刻胶、紫外光刻胶、深紫外光刻胶、电子束胶、离子束胶、X射线胶之中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,步骤二中,所述图形化的方法是:对光刻胶进行曝光、显影、部分去胶。
4.根据权利要求1所述的一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,步骤三中,所述镀覆选自以下方法中的任意一种:电子束蒸发法、磁控溅射法、化学气相沉积法和化学镀法;所述金属选自W、Mo、Au、Ni、Ti、Cr、Pt或Pd之中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,步骤四中,所述磁场辅助沉降镍纳米颗粒步骤为:在镍纳米颗粒悬浊液四周或者底部放置一块永磁铁,或者将镍纳米颗粒悬浊液置于均匀磁场中,再将镀有金属薄膜的衬底垂直于磁场放置在镍纳米颗粒悬浊液之中。
6.根据权利要求1所述的一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,步骤五中,所述热处理是指:在200℃~600℃的真空或者惰性气体保护气氛中加热5~8小时。
7.根据权利要求1所述的一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,步骤七中,场发射点阵为:点与点之间间距为0.5~500微米,每个点的面积为0.1~10000平方微米。
8.根据权利要求1所述的一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,步骤八中,所述布线使用的方法是:利用套刻方法对样品的每一个点进行布线。
9.根据权利要求1所述的一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,步骤九中,所述绝缘材料为橡胶、云母或聚四氟乙烯中的一种,所述绝缘材料厚度为50~500微米。
10.根据权利要求1所述的一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,步骤十中,使用的单片机芯片为:51单片机或者飞思卡尔单片机;使用的移位寄存器为以下种类中的一种:八位单向移位寄存器、八位双向移位存器、四位单向移存器、四位双向移位存器;实现屏显是指:将要显示图像通过单片机组成的控制模块进行处理,将发光点的位置信息传递给移位寄存器组成的驱动模块,驱动模块控制对应的点发光从而实现屏显。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏师范大学,未经江苏师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510241054.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种汽车线束插接件的固定装置
- 下一篇:一种线缆固定装置