[发明专利]能够进行精确电流采样的电池保护电路有效

专利信息
申请号: 201510237558.6 申请日: 2015-05-11
公开(公告)号: CN104821555B 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 王钊;尹航;田文博 申请(专利权)人: 无锡中感微电子股份有限公司
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司32236 代理人: 庞聪雅
地址: 214028 江苏省无锡市新区清源路18*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 能够 进行 精确 电流 采样 电池 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种电池保护电路,其特征在于,其包括:

功率开关晶片,其包括第一功率开关管、第二功率开关管、与第一功率开关管的第一连接端相连的第一压焊区和与第二功率开关管的第一连接端相连的第二压焊区,

连接第一压焊区和第一引脚的第一封装引线;

连接第二压焊区和第二引脚的第二封装引线;

电池保护控制晶片,其具有与第一压焊区电性相连的第一检测端、与第一引脚相连的第二检测端、将第一检测端和第二检测端的电压差与参考电压进行比较的过流检测电路,

所述过流检测电路包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、储能电容和运算放大器,

第一开关连接在第一检测端或第二检测端和运算放大器的第一输入端之间,

第二开关和储能电容依次连接在第二检测端或第一检测端和运算放大器的第二输入端之间,

第三开关连接在运算放大器的输出端和第二输入端之间,

第四开关连接在所述参考电压和运算放大器的第一输入端之间,

第五开关连接在第二开关和储能电容的中间节点和接地端之间,

第一开关、第二开关和第三开关同步导通和关断,第四开关和第五开关同步导通和关断,

在第一开关、第二开关和第三开关同步导通时,第四开关和第五开关同步关断,

在第四开关和第五开关同步导通时,第一开关、第二开关和第三开关同步关断,

先控制第一开关、第二开关和第三开关同步导通,第四开关和第五开关同步关断,此时所述运算放大器的两个输入端的电压相同,储能电容的两端的电压差等于第一检测端和第二检测端的电压差,

随后控制第一开关、第二开关和第三开关同步关断,第四开关和第五开关同步导通,所述运算放大器将储能电容的两端的电压差与所述参考电压进行比较,输出比较结果。

2.根据权利要求1所述的电池保护电路,其特征在于,

第一开关、第二开关和第三开关的控制端与第一控制信号相连,第四开关和第五开关的控制端与第二控制信号相连,

在第一控制信号和第二控制信号为导通电平时,它们控制的开关导通,在第一控制信号和第二控制信号为关断电平时,它们控制的开关关断,

第一控制信号的导通电平和第二控制信号的导通电平之间具有死区,第一控制信号和第二控制信号随着时间不断的在导通电平和关断电平之间切换。

3.根据权利要求1所述的电池保护电路,其特征在于,运算放大器的第一输入端为正相输入端,第二输入端为负相输入端,

所述过流检测电路还包括依次串联在所述运算放大器的输出端的第一反相器和第二反相器。

4.根据权利要求1所述的电池保护电路,其特征在于,

第一功率开关管为第一NMOS晶体管,第二功率开关管为第二NMOS晶体管,

第一功率关开关的第一连接端为第一NMOS晶体管的源极,

第二功率关开关的第一连接端为第二NMOS晶体管的源极,

第一NMOS晶体管的漏极与第二NMOS晶体管的漏极相连,

第一NMOS晶体管的衬体与其源极相连,第二NMOS晶体管的衬体与其源极相连,

第一NMOS晶体管的栅极与电池保护控制晶片的第一控制输出端相连,

第二NMOS晶体管的栅极与电池保护控制晶片的第二控制输出端相连。

5.根据权利要求1所述的电池保护电路,其特征在于,

电池保护控制晶片和功率开关晶片堆叠安装在一起,电池保护控制晶片的反面面向功率开关晶片的正面,电池保护控制晶片的第一检测端的压焊区和第二检测端的压焊区位于电池保护控制晶片的正面,

功率开关晶片的第一压焊区和第二压焊区位于功率开关晶片的正面,功率开关晶片的面积较电池保护晶片的面积大,

第一引脚、第二引脚是由一个引线框形成的。

6.根据权利要求1-5任一所述的电池保护电路,其特征在于,

功率开关晶片和电池保护控制晶片封装在一个封装内,

电池保护控制晶片的第一检测端的压焊区通过第三封装引线与桥接引线框垫片相连,所述桥接引线框垫片通过第四封装引线与第一压焊区相连,

电池保护控制晶片的第二检测端的压焊区通过第五封装引线与第一引脚直接相连。

7.根据权利要求6所述的电池保护电路,其特征在于,第一引脚、第二引脚和所述桥接引线框垫片是由一个引线框形成的。

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