[发明专利]涡流补偿的双磁路两端对称励磁圆柱形封闭磁场式电磁振动台磁路结构

权利要求书

1.一种涡流补偿的双磁路两端对称励磁圆柱形封闭磁场式电磁振动台磁路结构，由永磁体 (1)、中心磁轭(2)、长筒形磁轭(3)、短筒形磁轭(4)、端磁轭(5)、线圈骨架(6)和工 作线圈(8)构成，整体成轴对称结构，其特征在于：永磁体(1)、中心磁轭(2)、端磁轭(5) 均为圆柱形，长筒形磁轭(3)、短筒形磁轭(4)、线圈骨架(6)均为圆筒形，永磁体(1)、 中心磁轭(2)、长筒形磁轭(3)、短筒形磁轭(4)、端磁轭(5)、线圈骨架(6)的轴线在一 条直线上，两个永磁体(1)对称安装在中心磁轭(2)的两端和两个端磁轭(5)之间、且同 磁极相对布置，每个永磁体(1)的两个端面分别与中心磁轭(2)、端磁轭(5)相应的端面 紧密接触，两个短筒形磁轭(4)的内径与长筒形磁轭(3)的外径相等，两个短筒形磁轭(4) 的一端分别与两个端磁轭(5)刚性连接、另一端对称套装在长筒形磁轭(3)的两端且与长 筒形磁轭(3)刚性连接，长筒形磁轭(3)同轴套装在中心磁轭(2)上、与中心磁轭(2) 之间通过气隙(7)分隔开，线圈骨架(6)可滑动地套装在中心磁轭(2)上而位于气隙(7) 中，线圈骨架(6)上绕有工作线圈(8)，工作线圈(8)中通以精密可控的驱动电流，长筒 形磁轭(3)的侧壁沿长度方向设有剖缝(15)，线圈骨架(6)的两端设有翅板(14)，翅板 (14)从剖缝(15)中伸出，中心磁轭(2)的外圆柱面和长筒形磁轭(3)的内圆柱面设有 深沟槽(13)形式的阵列式微结构，深沟槽(13)沿气隙(7)的长度方向周期性布置。

2.根据权利要求1所述的涡流补偿的双磁路两端对称励磁圆柱形封闭磁场式电磁振动台磁路 结构，其特征在于：所述永磁体(1)的安装方式是采用两个圆筒形、不导磁材料的永磁体安 装套(9)，将永磁体(1)同轴粘接装配在永磁体安装套(9)的内部，通过固定永磁体安装 套(9)将永磁体(1)固定；所述中心磁轭(2)的安装方式是采用两个圆筒形、不导磁材料 的磁轭安装套(10)，将两个磁轭安装套(10)套装在中心磁轭(2)的两端且与中心磁轭(2) 刚性连接，通过固定磁轭安装套(10)将中心磁轭(2)以两端支撑的方式固定。

3.根据权利要求1或2所述的涡流补偿的双磁路两端对称励磁圆柱形封闭磁场式电磁振动台 磁路结构，其特征在于：所述剖缝(15)的数目为2条，且在长筒形磁轭(3)的侧壁上对径 分布。

4.根据权利要求1或2所述的涡流补偿的双磁路两端对称励磁圆柱形封闭磁场式电磁振动台 磁路结构，其特征在于：所述永磁体(1)是采用多个小块永磁体、以粘接的方式拼接构成。

5.根据权利要求1或2所述的涡流补偿的双磁路两端对称励磁圆柱形封闭磁场式电磁振动台 磁路结构，其特征在于：所述永磁体(1)的材料为NdFeB。

6.根据权利要求1或2所述的涡流补偿的双磁路两端对称励磁圆柱形封闭磁场式电磁振动台 磁路结构，其特征在于：所述中心磁轭(2)、长筒形磁轭(3)、短筒形磁轭(4)和端磁轭(5) 的材料为高磁导率电工纯铁。

7.根据权利要求1或2所述的涡流补偿的双磁路两端对称励磁圆柱形封闭磁场式电磁振动台 磁路结构，其特征在于：所述线圈骨架(6)的材料为陶瓷、花岗岩、玻璃钢或硬质塑料。

8.根据权利要求1或2所述的涡流补偿的双磁路两端对称励磁圆柱形封闭磁场式电磁振动台 磁路结构，其特征在于：所述气隙(7)的宽度为10mm～40mm。

9.根据权利要求2所述的涡流补偿的双磁路两端对称励磁圆柱形封闭磁场式电磁振动台磁路 结构，其特征在于：所述永磁体安装套(9)和磁轭安装套(10)的材料为陶瓷、花岗岩、玻 璃钢或硬质塑料。