[发明专利]纳米高密度高电磁衰减轻型防波套

说明书

技术领域

本发明涉及纳米材料，具体地，涉及一种纳米高密度高电磁衰减轻型防波套。

背景技术

随着电子技术的飞速发展，线缆的应用日益广泛，其电磁波泄漏或干扰的问题也日益突出。因为，电子及电气产品的电磁干扰发射或受到电磁干扰的侵害是通过产品的外壳、交/直流电源端口、信号线、控制线及地线而形成的。电磁辐射会使周围的电子电器设备及计算机等受到严重的干扰，使它们的工作程序发生紊乱，产生误操作、图像障碍或声音障碍等，从而造成计算机信息泄露等严重的社会问题。有资料表明，在1公里距离内，计算机显示终端的电磁波可以被窃取并复原信息，造成失密。

发明内容

本发明的目的是提供一种纳米高密度高电磁衰减轻型防波套，该纳米高密度高电磁衰减轻型防波套具有优异的抗电磁干扰能力。

为了实现上述目的，本发明提供了一种纳米高密度高电磁衰减轻型防波套，纳米高密度高电磁衰减轻型防波套包括相互绞合的防波线，防波线包括基质层和纳米层；纳米层包括纳米颗粒和粘结剂，纳米颗粒与粘结剂相混合并固定于基质层的表面；其中，基质层选自铜合金层或者铝合金层，纳米颗粒纳米氧化锆、纳米氧化锑、纳米氧化钛和纳米氧化铕中的一种或多种，粘结剂环糊精、木质素和甲基纤维素中的一种或多种。

通过上述技术方案，本发明通过利用纳米颗粒与粘结剂混合形成纳米层，然后借助粘结剂的粘结性能将纳米层固定于基质层的表面形成纳米高密度高电磁衰减轻型防波套。通过纳米颗粒与粘结剂的协同作用，使得该纳米高密度高电磁衰减轻型防波套具有优异的抗电磁干扰能力，进而使得该纳米高密度高电磁衰减轻型防波套能够广泛应用于航天级的电缆中。

本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

具体实施方式

以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

本发明提供了一种纳米高密度高电磁衰减轻型防波套，该纳米高密度高电磁衰减轻型防波套包括相互绞合的防波线，防波线包括基质层和纳米层；纳米层包括纳米颗粒和粘结剂，纳米颗粒与粘结剂相混合并固定于基质层的表面；其中，基质层选自铜合金层或者铝合金层，纳米颗粒纳米氧化锆、纳米氧化锑、纳米氧化钛和纳米氧化铕中的一种或多种，粘结剂环糊精、木质素和甲基纤维素中的一种或多种。

在本发明的纳米高密度高电磁衰减轻型防波套中，基质层和纳米层的具体含量可以在宽的范围内选择，但是为了使得纳米高密度高电磁衰减轻型防波套具有更优异的抗电磁干扰性和可焊性，优选地，相对于100重量份的基质层，纳米层的含量为5-9重量份。

在本发明的纳米层中，各物质的具体含量可以在宽的范围内选择，但是为了使得纳米高密度高电磁衰减轻型防波套具有更优异的抗电磁干扰性和可焊性，优选地，相对于100重量份的纳米颗粒，粘结剂的含量为15-30重量份。

在本发明中，为了提高纳米高密度高电磁衰减轻型防波套具有更优异的抗电磁干扰性和可焊性，优选地，纳米层中还包括纳米二茂铁。其中，纳米二茂铁的具体含量可以在宽的范围内选择，但是为了进一步提高纳米高密度高电磁衰减轻型防波套具有更优异的抗电磁干扰性和可焊性，更优选地，相对于100重量份的纳米颗粒，纳米二茂铁的含量为3-5重量份。进一步优选地，纳米二茂铁的粒径为1-10nm。

在上述内容的基础上，基质层和纳米层的具体形状可以在宽的范围内选择，尤其是基质层，可以是板材，也可以是线材，但是为了便于将纳米高密度高电磁衰减轻型防波套加工成包覆电线的防波套，优选地，基质层为直径为0.06-0.1cm的金属线，纳米层的厚度为0.01-0.02cm。

上述纳米颗粒的粒径同样可以在宽的范围内选择，但是为了提高纳米高密度高电磁衰减轻型防波套具有更优异的抗电磁干扰性和可焊性，优选地，纳米颗粒的粒径的粒径为1-10nm。

以下将通过实施例对本发明进行详细描述。以下实施例中电磁屏蔽的参数通过渗透法测得。

实施例1

1)在25℃下，将纳米氧化锆、纳米氧化锑和甲基纤维素混合，接着包覆于直径为0.08cm的铜合金线的外表面上形成厚度为0.02cm的纳米层，接着将包覆有纳米层的铜合金线在120℃下干燥48h制得防波线。其中，相对于100重量份的基质层，纳米层的含量为7重量份；纳米颗粒的粒径均为5nm；纳米氧化锆、纳米氧化锑和甲基纤维素的重量比为50：50：20。

2)将上述纳米高密度高电磁衰减轻型防波套绞织形成防波套A1。该防波套的编织密度、屏蔽衰减指数以及可焊性见表1。