[发明专利]介孔单晶结构Ta2O5微米立方块及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块，其特征在于该微米立方块为单晶结构，内部具有尺寸为20-100nm介孔。

2.根据权利要求1所述的介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块，其特征在于，其为下述制备方法所得产物，包括有以下步骤：

1)在一定温度下，将组装的二氧化硅球模板浸泡在TaCl₅的浓盐酸溶液中，去除上层清液并水洗干燥后，经高温煅烧得到附有Ta₂O₅晶种的二氧化硅球模板；

2)将附有Ta₂O₅晶种的二氧化硅球模板在TaCl₅的浓盐酸与冰乙酸的混合溶液中充分搅拌后进行溶剂热反应，分离干燥煅烧，在碱液中去除二氧化硅球模板即得介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块。

3.权利要求1所述的介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块的制备方法，其包括有以下步骤：

1)在一定温度下，将组装的二氧化硅球模板浸泡在TaCl₅的浓盐酸溶液中，去除上层清液并水洗干燥后，经高温煅烧得到附有Ta₂O₅晶种的二氧化硅球模板；

2)将附有Ta₂O₅晶种的二氧化硅球模板在TaCl₅的浓盐酸与冰乙酸的混合溶液中充分搅拌后进行溶剂热反应，分离干燥煅烧，在碱液中去除二氧化硅球模板即得介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块。

4.根据权利要求3所述的介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块的制备方法，其特征在于步骤1)中所述的二氧化硅球模板中的二氧化硅球的粒子尺寸为20-100nm。

5.根据权利要求3所述的介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块的制备方法，其特征在于步骤1)中TaCl₅的浓度为0.5-5mmol/L，浸泡温度为50-80℃，时间为1-3h。

6.根据权利要求3所述的介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块的制备方法，其特征在于步骤1)高温煅烧的温度是700-900℃。

7.根据权利要求3所述的介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块的制备方法，其特征在于步骤2)中附有Ta₂O₅晶种的二氧化硅球模板与TaCl₅的摩尔比为(40-80):1。

8.根据权利要求3所述的介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块的制备方法，其特征在于步骤2)中充分搅拌的时间为1.5-12h。

9.权利要求1所述的介孔单晶结构Ta₂O₅微米立方块作为光催化剂进行光催化产氢的应用。