[发明专利]一种用于溶胶法SERS检测的微流控芯片及其使用方法有效
| 申请号: | 201510232138.9 | 申请日: | 2015-05-08 |
| 公开(公告)号: | CN104792767B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
| 发明(设计)人: | 江澄莹;房晶焱;周勇亮;郭嘉 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
| 主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65;B01L3/00 |
| 代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人: | 张松亭 |
| 地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 溶胶 sers 检测 微流控 芯片 及其 使用方法 | ||
技术领域
本发明涉及的领域为分析化学领域,尤其涉及一种高重现性的Raman检测微流控芯片及其使用方法。
背景技术
拉曼(Raman)散射是一种振动光谱,但是普通拉曼散射光谱的强度很弱,限制了其在实际检测中的应用。表面增强拉曼光谱(Surface-Enhanced Raman scattering,SERS)能提高拉曼信号4-7个数量级,拓展了拉曼光谱在科研领域的应用。SERS使用特殊的基底(通常是金、银、铜等币族金属)增强拉曼信号,常见的基底有粗糙块状基底和纳米粒子溶液两种形式。其中,纳米粒子溶液由于制备简单,使用方便等优点而广泛使用。但是,由于纳米粒子溶液属于胶体溶液,容易发生纳米粒子的团聚和沉降,特别是在加入待测物质(或溶液)改变胶体溶液组成后。纳米粒子的团聚状态会严重影响SERS信号的强度。因此,迄今为止,纳米粒子溶液的拉曼检测重复性极低,无法用于拉曼定量或半定量分析。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于溶胶法SERS检测的微流控芯片,并且通过使用该微流控芯片,达到高重现性的SERS检测。
为实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种用于溶胶法SERS检测的微流控芯片,包括一溶液进口以及一溶液出口,所述的溶液进口和溶液出口之间设有一检测区,其特征在于:该检测区包括一三明治结构,上下层均为石英层,中间层为膜层,该膜层设有镂空通道作为检测区,该镂空通道和溶液进口以及溶液出口连通,镂空通道高度10-100μm,宽40-200μm,上层厚度为300-1000μm,下层厚度为100-500μm。
在本发明的较佳实施例中,所述镂空通道高度20-40μm,宽40-60μm。
在本发明的较佳实施例中,所述的溶液进口和溶液出口可以为同一孔,但较佳地,为不同的孔。
在本发明的较佳实施例中,所述的膜层优选为PDMS膜。也可以采用聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)或聚碳酸酯(PC)等,但是厚度不超过100μm,否则达不到微量检测的目的。
在本发明的较佳实施例中,该微流控芯片还包括一顶层,所述的顶层盖设于上层上方,在对应溶液进口处设有注射工具固定孔。
一种溶胶SERS检测方法,包括如下步骤:
1)制备前述的微流控芯片;
制备包覆度为40-70%的Au@SiO2纳米粒子在纳米粒子溶液中加入待测物溶液,调节体系团聚粒度为100μm-300μm,之后从微流控芯片的溶液进口中注入,液体流经检测区时,在检测区进行拉曼检测。
在本发明的较佳实施例中,步骤3)团聚度调节采用硫酸和NaOH。
在本发明的较佳实施例中,步骤3)调节体系团聚粒度的方法为加入硫酸后加入NaOH。
在本发明的较佳实施例中,NaOH的量为硫酸的等当量(等当量指1mol硫酸对应2mol NaOH)。
在本发明的较佳实施例中,步骤3)调节体系团聚粒度为100μm-300μm,大于该范围会造成粒子沉降,在芯片中贴壁堵塞,小于该范围不能产生有效信号。
在本发明的较佳实施例中,步骤3)液体在检测区的流动速度为100-1000μl/h。大于该范围会耗费粒子及待测物,小于该范围局部产生的热量不能及时带走,造成光损伤。
本发明的有益效果如下:
1、本发明设计三明治型微流控SERS芯片,使用SERS纳米粒子,施以pH调控,进行流动SERS检测,可以获得高重复的SERS信号,进行定量或半定量分析;
2、制备的芯片所用成本低,耗时少,并且可以重复使用,在检测时所耗费的待测物少,可以实现微量检测。
3、先后使用硫酸和NaOH进行pH调节,可以控制纳米粒子的团聚度,解决了芯片内粒子黏附的问题,拓展了芯片在SERS方面的应用。
附图说明
图1三明治式拉曼检测微流控芯片结构图及实物照片。A实物和硬币的对比图;B检测流程示意图;C爆炸结构图。
图2不同初始硫酸浓度SiO2@Au纳米粒子粒径分布曲线。
图3 SiO2@Au纳米粒子粒径峰值(团聚度)与初始硫酸浓度关系曲线。
图4三明治式拉曼检测微流控芯片检测4-巯基吡啶拉曼光谱。4-巯基吡啶浓度为0.25×10-4M,激光激发波长638nm,功率28mw,采谱时间1s,测定50次,任取其中6次。
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