[发明专利]IGBT芯片的控制方法

权利要求书

1.一种IGBT芯片的控制方法，其特征在于：

当IGBT处于正向导通时，控制开关Ｑ处于关闭状态，P型沟道(103)与漂移区(101)所形成的PN结J₂处于反向偏置状态，P型集电极(104)与漂移区(101)所形成的PN结J₁处于正偏状态，由于隔离罩的作用，电场对电极N₂⁺无影响；

当IGBT处于反向导通时，控制开关Ｑ处于开启状态，P型集电极(104)与漂移区(101)所形成的PN结J₁处于反偏状态，P型沟道(103)与漂移区(101)所形成的PN结J₂处于正偏状态，电子流出受漂移区（101）与P型集电极（104）间的P⁺势垒的影响受阻后，向电极N₂⁺运动，通过控制开关Ｑ运动流出；

IGBT芯片的IGBT单元设置隔离罩内，隔离罩设置在电极N₂⁺内，控制开关Ｑ分别与电极N₂⁺和三极管连接；所述控制开关Ｑ与P型沟道（103）、漂移区（101）和P型集电极（104）形成的PNP三极管的P型集电极（104）连接。

2.根据权利要求1所述的IGBT芯片的控制方法，其特征在于：所述IGBT芯片包括ＭＯＳ场效应晶体管和三极管组成的ＩＧＢＴ单元，还包括控制开关Ｑ、电极N₂⁺和隔离罩。

3.根据权利要求2所述的IGBT芯片的控制方法，其特征在于：所述ＩＧＢＴ单元反向导通时，控制开关Ｑ导通，电极N₂⁺、漂移区（101）和P型沟道(103)形成一个二极管，P型沟道（103）、漂移区（101）与P型集电极（104）形成PNP三极管，二极管的轻掺杂区域即漂移区（101）为PNP三极管的基区，与PNP三极管的集电极相连接，二极管的阳极即P型沟道（103）为PNP三极管的发射极。

4.根据权利要求2或3所述的IGBT芯片的控制方法，其特征在于：所述ＩＧＢＴ单元与隔离罩内壁相接触，隔离罩外壁与电极N₂⁺内壁相接触。

5.根据权利要求4所述的IGBT芯片的控制方法，其特征在于：所述ＩＧＢＴ单元为一个或多个。

6.根据权利要求2、3或5所述的IGBT芯片的控制方法，其特征在于：所述隔离罩为由同一种绝缘材料制成的呈筒状的隔离罩。

7.根据权利要求2、3或5所述的IGBT芯片的控制方法，其特征在于：所述隔离罩包括绝缘填充料和位于绝缘填充料表面的氧化层，绝缘填充料的膨胀系数与ＩＧＢＴ本体材料的膨胀系数接近。