[发明专利]一种沟槽IGBT器件的制造方法

权利要求书

1.一种沟槽IGBT器件的制作方法，其特征在于该制作方法包括如下步骤：

a）首先在N型外延硅衬底或者区熔片上进行P阱光刻，形成所需的P阱；然后通过局部氧化方法或者场氧化层刻蚀方法形成有源区；

b）光刻刻蚀沟槽，生长栅极氧化层，淀积多晶硅材料填充沟槽；然后光刻刻蚀多晶硅形成顶层MOS结构的栅极；

c）光刻N型源区注入N型杂质，然后淀积氧化层或者氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层裸露出之前形成的所有元胞的P阱区和N型源区硅表面；注入P型杂质并激活，确保P阱区与顶层金属的欧姆接触；

d）溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积钝化层，光刻刻蚀钝化层，完成顶层MOS结构的制作；

e）硅片背面减薄到特定的厚度，背面注入P型杂质通过低温退火或者激光退火形成IGBT集电区，最后通过溅射或者蒸发的方法淀积背面金属完成整个IGBT器件的制作过程。

2.根据权利要求1所述的沟槽IGBT器件的制作方法，其特征在于步骤b）中，选择性注入顶层MOS结构的N型源区来控制沟道密度。

3.根据权利要求1所述的沟槽IGBT器件的制作方法，其特征在于步骤c）中，通过接触孔接触顶层MOS结构所有元胞的P型阱区和N型源区，避免出现空穴电流集中现象。

4.根据权利要求1所述的沟槽IGBT器件的制作方法，其特征在于步骤e）中，IGBT器件背面金属是通过溅射或者蒸发的方式淀积的。