[发明专利]陶瓷基片的制备方法

权利要求书

1.一种陶瓷基片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将陶瓷粉末、第一有机粘合剂和第一溶剂混合均匀后得到陶瓷浆料，接着以所述陶瓷浆料为原料制备得到陶瓷薄膜，最后采用1个～20个所述陶瓷薄膜制备得到陶瓷生坯；

将淀粉、第二有机粘合剂和第二溶剂混合均匀后得到隔离浆料，接着以所述隔离浆料为原料制备得到隔离薄膜，所述隔离浆料中，所述淀粉、所述第二有机粘合剂和所述第二溶剂的质量比为100：25～30：100～150；

将所述陶瓷生坯与所述隔离薄膜交替层叠后压合并切割，得到层叠体；以及

将所述层叠体放置于承烧板上并且在所述层叠体上盖上盖板，然后对所述层叠体进行烧结，得到陶瓷基片。

2.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，所述陶瓷浆料中，所述陶瓷粉末、所述第一有机粘合剂和所述第一溶剂的质量比为100：30～45：40～55。

3.如权利要求1或2所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，所述陶瓷粉末为Ⅱ类介质陶瓷粉末，所述第一有机粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛、丙烯酸树脂或乙基纤维素，所述第一溶剂为乙醇和甲苯的混合液。

4.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，所述陶瓷浆料中还包括分散剂、增塑剂和除泡剂中的至少一种。

5.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，以所述陶瓷浆料为原料制备得到陶瓷薄膜的操作为：以所述陶瓷浆料为原料采用流延法制备得到陶瓷薄膜。

6.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，当陶瓷薄膜的数量为2个～20个时，采用陶瓷薄膜制备得到陶瓷生坯的操作为：按照需要的厚度将若干个陶瓷薄膜层叠后用油压或等静压的方法压合，得到陶瓷生坯。

7.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，当陶瓷薄膜的数量为2个～20个时，采用陶瓷薄膜制备得到陶瓷生坯的操作为：按照需要的厚度将若干个陶瓷薄膜层叠后得到陶瓷生坯。

8.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，所述淀粉为玉米淀粉，所述第二有机粘合剂为丙烯酸树脂或聚乙烯醇缩丁醛，所述第二溶剂为乙醇和甲苯的混合液。

9.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，以所述隔离浆料为原料制备得到隔离薄膜的操作为：以所述隔离浆料为原料采用流延法制备得到隔离薄膜。

10.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，将所述陶瓷生坯与所述隔离薄膜交替层叠后压合的操作为：将所述陶瓷生坯与所述隔离薄膜交替层叠后压合用油压或等静压的方法压合。

11.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，所述承烧板为氧化锆板或具有氧化锆表面涂层的氧化铝板，所述盖板为氧化锆板或具有氧化锆表面涂层的氧化铝板。

12.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，将所述层叠体放置于承烧板上的操作中，多个所述层叠体层叠后放置于所述承烧板上，每个所述层叠体包括数量相同的所述陶瓷生坯和所述隔离薄膜，每两个上下相邻的所述层叠体之间均以一个所述陶瓷生坯和一个所述隔离薄膜为接触处。

13.如权利要求1所述的陶瓷基片的制备方法，其特征在于，对所述层叠体进行烧结的操作中，所述烧结的温度为1200℃～1300℃，所述烧结的时间为2h～3h。