[发明专利]非易失性半导体存储装置与写入方法有效

专利信息
申请号: 201510220404.6 申请日: 2015-05-04
公开(公告)号: CN105097033B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 马蒂亚斯.Y.G.培尔 申请(专利权)人: 力晶科技股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王珊珊
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 非易失性 半导体 存储 装置 写入 方法
【权利要求书】:

1.一种非易失性半导体存储装置,用以借助施加一预定电压以实施一数据的写入并且指定一字线至一非易失性存储单元阵列,包括:

一控制处理器,用以产生并输出一控制数据并且实施一程序码以写入该数据,其中该数据包括一字线指定指令以及一电压源指定数据;

一写入控制器,用以解码该控制数据并且产生该字线指定指令的一控制信号以及该电压源指定数据的一控制信号;

一电压产生电路,用以产生写入该数据的多个电压;以及

一切换电路,用以依据该字线指定指令的该控制信号以及该电压源指定数据的该控制信号,选择该多个电压之中对应该电压源指定数据的一电压,并且对应该字线指定指令输出选择的该电压,

其中该切换电路包括多个暂存器,这些暂存器分别对应多个字线,并且对应该字线指定指令的该控制信号而暂时储存该字线指定数据,以及该切换电路包括多个切换器,该多个切换器分别对应该多个暂存器,并且在来自该电压产生电路的多个电压之中,依据来自对应暂存器的该控制信号而操作,并且对应该电压源指定数据而选择与输出该电压。

2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置,其中该程序码、该控制处理器、该写入控制器、该电压产生电路以及该切换电路除了应用于写入的操作外,还可应用于读取或擦除的操作。

3.如权利要求2所述的非易失性半导体存储装置,其中该切换电路包括多个暂存器,这些暂存器分别对应多个字线,并且对应该字线指定指令的该控制信号而暂时储存该字线指定数据,以及该切换电路包括多个切换器,该多个切换器分别对应该多个暂存器,并且在来自该电压产生电路的多个电压之中,依据来自对应暂存器的该控制信号而操作,并且对应该电压源指定数据而选择与输出该电压。

4.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置,其中该非易失性半导体存储装置还包括一只读存储器用以储存该程序码,并且输出该程序码至该控制处理器。

5.如权利要求2所述的非易失性半导体存储装置,其中该非易失性半导体存储装置还包括一只读存储器用以储存该程序码,并且输出该程序码至该控制处理器。

6.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置,其中该程序码被储存于该存储单元阵列之中的一预先定义区域,并且被该控制处理器所读取。

7.如权利要求2所述的非易失性半导体存储装置,其中该程序码被储存于该存储单元阵列之中的一预先定义区域,并且被该控制处理器所读取。

8.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置,其中该程序码来自一外部装置,并且维持一操作模式以输入至该控制处理器。

9.如权利要求2所述的非易失性半导体存储装置,其中该程序码来自一外部装置,并且维持一操作模式以输入至该控制处理器。

10.如权利要求6所述的非易失性半导体存储装置,其中该非易失性半导体存储装置还包括一静态随机存取存储器以储存该程序码,并且将该程序码输出至该控制处理器。

11.如权利要求7所述的非易失性半导体存储装置,其中该非易失性半导体存储装置还包括一静态随机存取存储器以储存该程序码,并且将该程序码输出至该控制处理器。

12.如权利要求8所述的非易失性半导体存储装置,其中该非易失性半导体存储装置还包括一静态随机存取存储器以储存该程序码,并且将该程序码输出至该控制处理器。

13.如权利要求9所述的非易失性半导体存储装置,其中该非易失性半导体存储装置还包括一静态随机存取存储器以储存该程序码,并且将该程序码输出至该控制处理器。

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