[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510217735.4 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106185785B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 郑超;肖勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有凹槽；
步骤S2：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有穿通所述顶部晶圆的预埋隧道；
步骤S3：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆相接合，其中所述预埋隧道位于所述凹槽的上方，以形成气体通道；
步骤S4：在将所述顶部晶圆和所述底部晶圆相接合之后将所述顶部晶圆研磨打薄，以减小所述顶部晶圆的厚度；
步骤S5：在将所述顶部晶圆研磨打薄之后执行高温工艺步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：
步骤S6：反转所述步骤S5中得到的器件；
步骤S7：执行背面工艺，以在所述底部晶圆的背面形成开口，露出所述凹槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述预埋隧道横向和/或纵向设置于所述顶部晶圆中。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，横向设置的所述预埋隧道与纵向设置的所述预埋隧道的交叉点位于所述凹槽的上方。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述预埋隧道的尺寸为3-6um。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述凹槽的开口尺寸为35-50um，深度为90-110um。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述顶部晶圆选用硅。
8.一种基于权利要求1至7之一所述的方法制备得到的MEMS器件。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的MEMS器件。
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