[发明专利]低损耗少模光纤有效
| 申请号： | 201510217081.5 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104793285B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 莫琦;喻煌;陈文;杜城;余志强;王冬香;蔡冰峰 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院;烽火通信科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/028 | 分类号： | G02B6/028;G02B6/036 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙)11221 | 代理人： | 王卫东 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 损耗 光纤 | ||
1.一种低损耗少模光纤，其特征在于：所述少模光纤自内而外依次包括芯层(1)、掺氟石英内包层(2)、掺氟石英第二芯层(3)、掺氟石英下陷包层(4)以及掺氟石英外包层(5)；
所述芯层(1)中未掺杂锗元素，该芯层(1)的折射率呈渐变分布，且分布为幂指数分布；芯层(1)与掺氟石英内包层(2)的相对折射率差最大值为0.3％～0.9％；
掺氟石英内包层(2)相对合成石英的相对折射率差为-0.3％～-0.5％；
掺氟石英第二芯层(3)与掺氟石英内包层(2)相对折射率差为0.05％～0.2％；
掺氟石英下陷包层(4)与掺氟石英内包层(2)的相对折射率差为-0.1％～-0.5％；
掺氟石英外包层(5)相对合成石英的相对折射率差为-0.3％～-0.5％。
2.如权利要求1所述的低损耗少模光纤，其特征在于：
所述芯层(1)的半径为10μm～17.4μm，
掺氟石英内包层(2)的半径为10.5μm～21.4μm，
掺氟石英第二芯层(3)的半径为11μm～22.4μm，
掺氟石英下陷包层(4)的半径为20.5μm～40.0μm，
掺氟石英外包层(5)的半径为40.0μm～100.0μm。
3.如权利要求1所述的低损耗少模光纤，其特征在于：
所述芯层(1)的半径为15.2μm，且分布幂指数为1.98；芯层(1)与掺氟石英内包层(2)的相对折射率差最大值为0.40％；
掺氟石英内包层(2)的半径为19.2μm，且掺氟石英内包层(2)相对合成石英的折射率差为-0.30％；
掺氟石英第二芯层(3)与掺氟石英内包层(2)相对折射率差为0.05％。
4.如权利要求1所述的低损耗少模光纤，其特征在于：所述芯层(1)的分布幂指数为1.9～2.05。
5.如权利要求1所述的低损耗少模光纤，其特征在于：所述芯层(1)的分布幂指数为1.92～1.94。
6.如权利要求1所述的低损耗少模光纤，其特征在于：所述少模光纤支持LP01、LP02、LP11、LP21四种线偏振模式的光信号，光纤的工作波长范围为1550nm±25nm。
7.如权利要求6所述的低损耗少模光纤，其特征在于：所述少模光纤所支持线偏振模式的光信号的传输损耗在1550nm波长处小于0.180dB/km。
8.如权利要求1所述的低损耗少模光纤，其特征在于：所述少模光纤不支持除LP01、LP02、LP11、LP21外的其它线偏振模式的光信号，且光信号在其它线偏振模式中的截止波长小于1500nm。
9.如权利要求8所述的低损耗少模光纤，其特征在于：所述光信号在除LP01、LP02、LP11、LP21外的其它线偏振模式中的每米损耗大于20dB。
10.如权利要求1至9任一项所述的低损耗少模光纤，其特征在于：所述少模光纤的差分群时延小于18ps/km，光纤色散小于25ps/(nm*km)。
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