[发明专利]多阶存储器单元读取有效

专利信息
申请号: 201510215810.3 申请日: 2015-04-30
公开(公告)号: CN105280219B 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: S.古里亚尼;K.潘加尔;B.斯里尼瓦桑;C.胡 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐予红;姜甜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 存储器 单元 读取
【权利要求书】:

1.一种用于多阶存储器单元读取的方法,包括:

给具有被选择以读取的存储器单元的存储器装置的字线充电;

启用将全局字线路径从所述字线连接到读取所述存储器单元的读出电路的全局字线驱动器,并启用将局部字线路径连接到所述全局字线路径的局部字线驱动器;

禁用所述全局字线驱动器,并保持启用所述局部字线驱动器;

向选择的存储器单元的位线施加初始电压;

禁用所述局部字线驱动器,并保持禁用所述全局字线驱动器;

向所述位线施加较高电压;以及

启用所述全局字线驱动器和所述局部字线驱动器以将所述存储器单元连接到所述读出电路以读取所述选择的存储器单元。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述存储器单元包括相变存储器元件。

3.如权利要求1所述的方法,其中施加到所述位线的所述初始电压和所述较高电压具有基于由于所述存储器装置的存储器单元的工艺变化的期望阈值电压分布确定的电压电平。

4.如权利要求1所述的方法,其中施加所述初始电压进一步包括:在禁用所述局部字线驱动器之前向所述位线施加多个不同离散电压电平。

5.如权利要求1所述的方法,其中施加所述较高电压进一步包括:在启用所述全局字线驱动器和所述局部字线驱动器之前向所述位线施加多个不同离散电压电平。

6.如权利要求1所述的方法,其中禁用所述全局字线驱动器和禁用所述局部字线驱动器包括动态改变在所述存储器单元所看到的所述字线的电容。

7.如权利要求1所述的方法,进一步包括:在禁用所述全局字线驱动器并保持启用所述局部字线驱动器之前,倾斜所述位线电压。

8.如权利要求1所述的方法,进一步包括:在向所述位线施加所述初始电压之后,启用所述全局字线驱动器和所述局部字线驱动器以连接到所述读出电路,以在向所述位线施加所述初始电压之后并在向所述位线施加所述较高电压之后,读取所述存储器单元。

9.一种具有在字线与位线之间的存储器单元的存储器装置,包括:

读出电路,用于在所述存储器单元被选择用于读取操作时读取所述存储器单元;

字线,具有关联的全局字线驱动器和局部字线驱动器,所述全局字线驱动器有选择地将全局字线路径连接到所述字线,并且所述局部字线驱动器有选择地将局部字线路径连接到所述全局字线路径,其中所述字线经由所述全局字线路径和所述局部字线路径连接到所述读出电路以读取所述存储器单元;以及

位线,具有关联的位线驱动器以有选择地向所述位线施加多个电压电平;以及

逻辑,用于有选择地启用和禁用所述全局字线驱动器和所述局部字线驱动器,并使所述位线驱动器向所述位线施加电压电平;

其中在所述字线被充电到读取电压之后,所述逻辑将禁用所述全局字线驱动器,同时保持启用所述局部字线驱动器,并且其中所述逻辑将使所述位线驱动器向所述位线施加初始电压,同时所述全局字线驱动器被禁用,并且所述局部字线驱动器被启用;并且

其中所述逻辑将进一步禁用所述局部字线驱动器并保持禁用所述全局字线驱动器,并且其中所述逻辑将使所述位线驱动器向所述位线施加高于所述初始电压的第二电压,同时禁用所述全局字线驱动器和所述局部字线驱动器。

10.如权利要求9所述的存储器装置,其中所述存储器单元包括相变存储器元件。

11.如权利要求9所述的存储器装置,其中施加到所述位线的所述初始电压和所述第二电压具有基于由于所述存储器装置的存储器单元的工艺变化的期望阈值电压分布确定的电压电平。

12.如权利要求9所述的存储器装置,其中所述逻辑将使所述位线驱动器向所述位线施加包含所述初始电压电平的多个不同电压电平,同时在所述读出电路读取所述存储器单元之前,禁用所述全局字线驱动器并启用所述局部字线驱动器。

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