[发明专利]研磨液供应装置和包括研磨液供应装置的抛光设备

说明书

技术领域

各个实施例涉及研磨液供应装置和包括研磨液供应装置的抛光设备。

背景技术

由于半导体装置的更高度集成，已认识到，在各晶片生产工艺中，由研磨或化学机械双面抛光(DSP)引起的半导体晶片的刮擦或缺陷是会对半导体装置的产量和生产率具有很大影响的重要因素。具体地，在使用大直径晶片(例如，直径为300mm的晶片)生产半导体装置的当前工艺中，晶片、研磨板、抛光头、抛光垫等类似物的尺寸和精度增大。

将研磨液用于常规的研磨或双面抛光中。在常规的研磨液供应装置的情形下，当将研磨液从喷嘴(未示出)供应到研磨液圈(未示出)时，诸如灰尘、金属等污染物可能会附着到研磨液，由此，导致研磨液粘附到上板的内研磨液管，或者导致待抛光的物体被污染或损坏。

发明内容

各实施例提供能够防止研磨液遭受污染的研磨液供应装置和包括研磨液供应装置的抛光设备。

根据一个实施例，研磨液供应装置包括：喷嘴，构造成喷射研磨液；研磨液供应单元，构造成接收来自喷嘴的研磨液并经由至少一个研磨液孔排出研磨液；接收单元，构造成允许研磨液供应单元安装、插入、坐置、联接、支承或放置在其中，以使得能够排出来自研磨液供应单元的研磨液，该接收单元构造成环绕研磨液供应单元接收流动材料；以及研磨液保护单元，构造成与流动材料一起封围用于研磨液从喷嘴的出口到研磨液供应单元的入口的通道的空间。

研磨液保护单元可以包括：喷嘴接收凹部，布置成面向研磨液供应单元的入口，该喷嘴接收凹部构造成允许喷嘴安装、坐置、插入或联接在其中；以及主盖，构造成与流动材料一起气密密封用于研磨液通道的空间。

主盖可以包括上端部和从该上端部延伸的第一侧壁部。

上端部可以沿第一方向延伸，第一侧壁部可以沿第二方向延伸，并且第二方向可以是研磨液的排出方向，并且垂直于第一方向。

上端部可以具有第一曲率半径，而第一侧壁部具有第二曲率半径。第一曲率半径和第二曲率半径可以是相同的或不同的。

上端部和第一侧壁部中每一个可以是锥形的，并且可以彼此一体地形成。

主盖可以具有浸没在流动材料中或者与流动材料间隔开的端部。

主盖还可以包括辅助盖，该辅助盖沿第一方向从第一侧壁部突伸以覆盖流动材料的顶部。

喷嘴和研磨液保护单元可以是固定的，并且研磨液供应单元和接收单元可以是可旋转的。

研磨液供应单元、研磨液保护单元和接收单元中每一个可以具有相同的平面形状。研磨液供应单元、研磨液保护单元和接收单元中每一个可以具有环形平面形状。

流动材料可以包括高纯水。

接收单元可以包括底部和第二侧壁部，该第二侧壁部从底部延伸以限定构造成将流动材料接收在其中的空间。

该底部可以包括供应单元接收凹部和通孔，该供应单元接收凹部构造成允许研磨液供应单元安装、插入、坐置、联接、支承或放置在其中，该通孔用于从研磨液孔中排出的研磨液流出。

供应单元接收凹部可以具有一深度，该深度小于研磨液供应单元的高度和流动材料的高度之间的差。

研磨液供应单元可以螺接到供应单元接收凹部。

第二侧壁部可以与第一侧壁部隔开。

接收单元还可以包括溢出防护部，该溢出防护部从接收单元的第二侧壁部向内突伸并延伸，以覆盖流动材料的表面的至少一部分。

研磨液供应装置还可以包括第一储池和第一管，该第一储池构造成储存补充流动材料，该第一管构造成限定用于补充流动材料从第一储池到接收单元的通道的路径。

研磨液供应装置还可以包括测量单元、阀控制件和第一阀，该测量单元构造成测量接收在接收单元中的流动材料的数量，该阀控制件构造成基于流动材料的接收数量而产生控制信号，第一阀构造成响应于控制信号调节将要从第一储池供应到接收单元的补充流动材料的数量。

研磨液供应装置还可以包括第二储池和第二管，该第二储池构造成储存清洗溶液，该第二管构造成限定用于清洗溶液从第二储池到接收单元的通道的路径。

研磨液供应装置还可以包括第二阀，该第二阀构造成调节将要从第二储池供应到接收单元的清洗溶液的数量。

根据另一实施例，抛光设备包括上板和下板、驱动单元和如权利要求1至25中任一项所述的研磨液供应装置，所述上板和下板构造成对将要抛光的物体的上表面和下表面进行抛光，该驱动单元构造成使上板旋转。

第一储池或第二储池的至少一个可以安装、坐置、放置、支承或联接到上板，以与上板一起旋转。

附图说明