[发明专利]传感器芯片的空腔形成方法、制造方法、芯片及电子设备有效
| 申请号： | 201510210301.1 | 申请日： | 2015-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104925745A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟锦;宋青林 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 马佑平;杨国权 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 芯片 空腔 形成 方法 制造 电子设备 | ||
1.一种用于形成微机电系统压力传感器芯片中的空腔的方法，包括：
在衬底上形成第一凹槽；
将覆盖层键合到衬底上，以覆盖第一凹槽，从而形成空腔；以及
对覆盖层进行蚀刻，以降低覆盖层厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将覆盖层键合到衬底上的步骤还包括：通过熔融键合将覆盖层键合到衬底上。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，将覆盖层键合到衬底上的步骤还包括：通过键合层将覆盖层键合到衬底上。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，对覆盖层进行蚀刻的步骤包括：对覆盖层进行湿法蚀刻。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，对覆盖层进行蚀刻的步骤包括：对覆盖层进行构图，以便蚀刻覆盖层中与空腔相对的部分。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，经蚀刻的覆盖层的厚度小于10微米。
7.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：在对覆盖层进行蚀刻之前，对覆盖层进行研磨，以降低覆盖层厚度。
8.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：在覆盖层的经蚀刻的表面上再次形成热氧化物层后，将该热氧化物层去除，再降低覆盖层的厚度。
9.一种用于制造微机电系统压力传感器芯片的方法，包括使用根据权利要求1所述的方法形成微机电系统压力传感器芯片中的空腔。
10.一种微机电系统压力传感器芯片，它使用根据权利要求9所述的方法被制造。
11.一种电子设备，包括根据权利要求10所述的微机电系统压力传感器芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔声学股份有限公司，未经歌尔声学股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510210301.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
