[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法、背光源组件、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及其制备方法、背光源组件、显示装置。

背景技术

电致发光(Electroluminescent，简称EL)器件主要由依次形成在衬底上的外延层、N型半导体层、P型半导体层以及分别与N型半导体层、P型半导体层相接触的N电极、P电极构成。

目前衬底材料主要采用蓝宝石(Al₂O₃)构成，Al₂O₃由于自身的晶格常数失配和热应力失配，使得在其上生长的外延层中会产生大量结构缺陷，影响器件发光性能，不利于大面积发光源的制备。

发明内容

本发明的实施例提供一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、背光源组件，可减小外延层中的结构缺陷，实现大面积发光源的量产化。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面、本发明实施例提供了一种电致发光器件的制备方法，所述制备方法包括：在衬底层上形成缓冲层的步骤；所述在衬底层上形成缓冲层的步骤包括：在基底层上形成缓冲层；其中，构成所述基底层的材料与构成所述缓冲层的材料晶格常数相匹配；采用图案转印工艺，将包括有所述缓冲层与所述基底层的层叠结构转印至所述衬底层上；其中，所述缓冲层与所述衬底层直接接触；去除所述基底层，露出所述缓冲层。

可选的，所述图案转印工艺包括：热转印、激光转印、压力转印以及胶体转印中的任一种。

可选的，所述缓冲层由石墨烯构成。

进一步优选的，所述基底层由Cu、Ni、Co、Ru、Au以及Ag中的至少一种材料构成。

进一步优选的，所述制备方法还包括：在形成的所述缓冲层上依次形成第一半导体层、第二半导体层；其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层互为N型半导体与P型半导体。

进一步优选的，所述制备方法还包括：在形成的所述第二半导体层上形成由透明导电材料构成的电极层；其中，所述电极层与由石墨烯构成的所述缓冲层互为阴极与阳极。

在上述基础上优选的，所述衬底层至少由二氧化硅构成。

另一方面、本发明实施例还提供了一种电致发光器件，所述电致发光器件采用上述权利要求1至7任一项所述的制备方法获得。

可选的，所述缓冲层由石墨烯构成。

进一步优选的，所述电致发光器件还包括：位于所述缓冲层上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层互为N型半导体与P型半导体。

进一步优选的，所述电致发光器件还包括：位于所述第二半导体层上的由透明导电材料构成的电极层；其中，所述电极层与由石墨烯构成的所述缓冲层互为阴极与阳极。

进一步优选的，所述缓冲层为阴极；所述电极层为阳极；所述第一半导体层为N型半导体；所述第二半导体层为P型半导体。

在上述基础上优选的，所述衬底层至少由二氧化硅构成。

优选的，所述电致发光器件还包括：由透明材料构成的外壳；粘结所述外壳与所述衬底层的四周的封框胶；其中，形成于所述衬底层上的所述缓冲层、所述第一半导体层、所述第二半导体层以及所述电极层均位于所述外壳内部。

再一方面、本发明实施例还提供了一种背光源组件，包括上述的电致发光器件。

又一方面、本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的背光源组件。

基于此，本发明实施例提供的上述制备方法，通过采用图案转印的方式将已经生长好的缓冲层11转移至衬底层10上，因此不会产生由于缓冲层11与衬底层10晶格常数匹配较差而导致的缓冲层11中出现结构缺陷，保证了器件的良好发光性能，从而可实现大面积发光源的量产化制备。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a至图1c依次为本发明实施例提供的一种电致发光器件的制备步骤S01至S03的分步示意图；

图2为现有技术提供的一种电致发光器件的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种电致发光器件的制备步骤S04的示意图；

图4为电致发光器件的发光原理示意图；

图5为本发明实施例提供的一种电致发光器件的制备步骤S05的示意图；