[发明专利]一种低磁导率温度系数近场通讯磁片及其制备方法

权利要求书

1.一种低磁导率温度系数近场通讯磁片，其特征在于包括主成分和副成分；

按摩尔百分比，所述主成分的Fe₂O₃为48％～55％，ZnO为12％～20％，NiO为15.5％～20 ％，CuO为13％～16％，MnCO₃为0～3％，Bi₂O₃为0.01％～0.025％，Co₂O₃为0～0.05％；副 成分的SiO₂为1％，WO₃为0～3％。

2.如权利要求1所述一种低磁导率温度系数近场通讯磁片的制备方法，其特征在于包括 以下步骤：

1)将主成分、水和磨球混合，在行星球磨机上球磨，得浆料，浆料分离后烘干；

2)将烘干后的混合原料预烧；

3)将预烧后的粉料粉碎过筛，加入副成分SiO₂和WO₃，再加入水球磨，过筛后烘干， 得混合预烧粉料；

4)将混合预烧粉料与水基流延浆料混合，得流延浆料，球磨，所述水基流延浆料的原料 组成为PVA、水、邻苯二甲酸二丁酯、水性消泡剂和丙三醇，按质量百分比，混合预烧粉料 为47％～51％、PVA为2％～8％、水为38％～50％、邻苯二甲酸二丁酯为0.021％～0.035％、 水性消泡剂为0.025％～0.038％、丙三醇为0.045％～0.056％；

5)将球磨后的流延浆料过筛，再真空脱泡，得到脱泡流延浆料；

6)将脱泡流延浆料流延，得铁氧体坯片；

7)将得到的铁氧体坯片干燥，再裁成正方形，放入坩埚中，整体放入烘箱内进一步热处 理；

8)把热处理后的铁氧体坯片烧结，再与胶带贴合，得低磁导率温度系数近场通讯磁片。

3.如权利要求2所述一种低磁导率温度系数近场通讯磁片的制备方法，其特征在于在步 骤1)中，按质量比，主成分∶水∶磨球＝1∶1.2∶2；所述球磨的转速可为300r/min，球磨的 时间可为6h。

4.如权利要求2所述一种低磁导率温度系数近场通讯磁片的制备方法，其特征在于在步 骤2)中，所述预烧是将烘干后的混合原料放在马弗炉内预烧，预烧的温度为750～850℃，预 烧的时间为2～4h。

5.如权利要求2所述一种低磁导率温度系数近场通讯磁片的制备方法，其特征在于在步 骤3)中，所述加入水是加入与预烧后的粉料等质量的去离子水；所述球磨的时间可为6h。

6.如权利要求2所述一种低磁导率温度系数近场通讯磁片的制备方法，其特征在于在步 骤4)中，所述球磨是将所得流延浆料在行星式球磨机上球磨6h。

7.如权利要求2所述一种低磁导率温度系数近场通讯磁片的制备方法，其特征在于在步 骤5)中，所述过筛是过200目孔筛；所述真空脱泡可在0～0.1MPa的负压环境下进行真空脱 泡6h，同时控制粘度在12000cps。

8.如权利要求2所述一种低磁导率温度系数近场通讯磁片的制备方法，其特征在于在步 骤6)中，所述流延是将脱泡流延浆料放在流延机上进行流延，调节流延刀口的距离在0.11mm 左右。

9.如权利要求2所述一种低磁导率温度系数近场通讯磁片的制备方法，其特征在于在步 骤7)中，所述干燥是将铁氧体坯片放在温度为20～25℃和湿度为50％～60％的密闭环境下干 燥；所述正方形的尺寸可为120mm×120mm；所述热处理的温度可为90℃，热处理的时间可 为10h。

10.如权利要求2所述一种低磁导率温度系数近场通讯磁片的制备方法，其特征在于在 步骤8)中，所述烧结是把热处理后的铁氧体坯片放入马弗炉中烧结，烧结温度为960℃，烧 结时间为3h；所述胶带可采用厚度为10μm的胶带；所制得的低磁导率温度系数近场通讯磁 片的厚度约为80μm。