[发明专利]一种单级无桥双Boost与Flyback集成的LED驱动电路有效

专利信息
申请号: 201510204498.8 申请日: 2015-04-28
公开(公告)号: CN104780692B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 林维明;王雷雨 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02;H02M1/42
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 单级无桥双 boost flyback 集成 led 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种单级无桥双Boost与Flyback集成的LED驱动电路,包括一输入交流电压源Vin,其特征在于:所述输入交流电压源Vin的一端连接一功率二极管D1的阳极和一功率二极管D2的阴极;所述功率二极管D1的阴极连接一中间电容CB、一功率二极管D3的阴极和一功率MOS开关管Q1的漏极;所述中间电容CB的另一端连接一功率二极管D2的阳极和一功率MOS开关管Q2的源极和一变压器Tr的原边非同名端;所述功率MOS开关管Q1的源极连接到变压器Tr的原边同名端和一功率二极管D4的阳极,所述功率MOS开关管Q1的栅极连接第一路PWM控制信号;所述功率二极管D3的阳极连接到所述功率MOS开关管Q2的漏极、所述功率二极管D4的阴极和一电感 LBoost的一端;所述的功率MOS开关管Q2的栅极连接第二路PWM控制信号;所述电感LBoost的另一端连接到输入电源的另一端;所述变压器Tr的副边非同名端连接一功率二极管D5的阳极;所述功率二极管D5的阴极连接到输出电容C2的正端;所述输出电容C2的负端连接到变压器Tr副边的同名端;所述电容C2的正、负端连接所述LED驱动电路的LED负载;所述功率MOS开关管Q1在所有电源周期内高频工作,而功率MOS开关管Q2只需要在电源周期负半周时高频工作,同时,所述功率MOS开关管Q1和Q2在电源周期的负半周时采用高频互补导通。

2.根据权利要求1所述的一种单级无桥双Boost与Flyback集成的LED驱动电路,其特征在于:变压器Tr是高频变压器,原副边同名端是反方向的。

3.根据权利要求1所述的一种单级无桥双Boost与Flyback集成的LED驱动电路,其特征在于:所述功率二极管D1、功率二极管D2、功率二极管D3、功率二极管D4、功率二极管D5是快恢复二极管。

4.根据权利要求1所述的一种单级无桥双Boost与Flyback集成的LED驱动电路,其特征在于:所述中间电容CB是电解电容。

5.根据权利要求1所述的一种单级无桥双Boost与Flyback集成的LED驱动电路,其特征在于:所述输出电容C2是电解电容。

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