[发明专利]薄膜晶体管以及显示装置有效
| 申请号： | 201510202482.3 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105006486B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 世古畅哉;畠泽良和;关根裕之 | 申请（专利权）人： | NLT科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;杨生平 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
用多晶硅有源层形成的沟道区、LDD区和漏区；
经由栅极绝缘膜至少在沟道区中设置的栅电极；以及
电浮置遮光层，其经由绝缘层至少与所述沟道区和所述LDD区重叠，其中，
所述薄膜晶体管是多栅结构，
所述遮光层被分割成彼此处于电浮置状态的多个遮光层，
关于所述多个遮光层中的与所述多晶硅有源层的最外侧对应的一个遮光层和另一个遮光层，当设所述遮光层与所述漏区重叠的面积为Sd，并且所述遮光层与所述栅电极重叠的面积为Sg时，则所述一个遮光层的Sg/Sd大于所述另一个遮光层的Sg/Sd。
2.一种薄膜晶体管，包括：
用多晶硅有源层形成的沟道区、LDD区和漏区；
经由栅极绝缘膜至少在沟道区中设置的栅电极；以及
电浮置遮光层，其经由绝缘层至少与所述沟道区和所述LDD区重叠，其中，
所述薄膜晶体管是多栅结构，
所述遮光层被分割成彼此处于电浮置状态的多个遮光层，
关于所述多个遮光层中的与所述多晶硅有源层的最外侧对应的一个遮光层和另一个遮光层，当设所述遮光层与所述漏区重叠的部分的静态电容为Cd，并且所述遮光层与所述栅电极重叠的部分的静态电容为Cg时，则所述一个遮光层的Cg/Cd大于所述另一个遮光层的Cg/Cd。
3.一种显示装置，包括权利要求1中所述的薄膜晶体管作为像素晶体管。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，
在相邻像素之间分割所述遮光层。
5.如权利要求3所述的显示装置，其中，
所述一个遮光层位于最靠近所述多晶硅有源层的像素的一侧。
6.一种显示装置，包括权利要求2中所述的薄膜晶体管作为像素晶体管。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，
在相邻像素之间分割所述遮光层。
8.如权利要求6所述的显示装置，其中，
所述一个遮光层位于最靠近所述多晶硅有源层的像素的一侧。
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