[发明专利]放大器输入保护的装置和方法

权利要求书

1.一种放大器输入保护电路，包括：

第一场效应晶体管(FET)，包括电连接到第一输入的源极，以及电连接到第一输出的漏极；

第二FET，包括电连接到第二输入的源极，以及电连接到第二输出的漏极；

第三FET，包括电连接到所述第一FET的栅极的栅极和源极以及电连接到所述第一输入的漏极；

第四FET，包括电连接到所述第二FET的栅极的栅极和源极以及电连接到所述第二输入的漏极；

第一夹钳，电连接到所述第一输出，其中所述第一夹钳被配置为响应于第一过电压状态而激活，以产生第一钳位电流；

第一电流镜，配置成镜像第一钳位电流以产生第一镜像电流，其中第一电流镜被配置成提供所述第一镜像电流到所述第三FET的源极；

第二夹钳，电连接到所述第二输出，其中所述第二夹钳被配置为响应于第二过电压状态而激活，以产生第二钳位电流；和

第二电流镜，配置成镜像所述第二钳位电流，以产生第二镜像电流，其中第二电流镜被配置成提供所述第二镜像电流到第四FET的源极。

2.根据权利要求1所述的放大器输入保护电路，其中，所述第三FET被配置为响应于所述第一镜像电流而增加第一FET的沟道阻抗，并且其中，所述第四FET被配置为响应于所述第二镜像电流而增加第二FET的沟道阻抗。

3.根据权利要求1所述的放大器输入保护电路，其中，所述第一FET、所述第二FET、所述第三FET和第四FET包括n沟道结型场效应晶体管(JFET)。

4.根据权利要求1所述的放大器输入保护电路，其中，所述第一FET、所述第二FET、所述第三FET和第四FET包括P沟道结型场效应晶体管。

5.根据权利要求1所述的放大器输入保护电路，其中，所述第一和第二FET具有第一宽长比，其中所述第三和第四FET具有第二宽长比，其中，第一宽长比大于第二宽长比。

6.根据权利要求1所述的放大器输入保护电路，其中，所述第一夹钳包括至少一个二极管连接的双极晶体管，并且其中所述第二夹钳包括至少一个二极管连接的双极晶体管。

7.根据权利要求1所述的放大器输入保护电路，其中，所述第一电流镜包括第一双极电流镜晶体管，其中，第一双极电流镜晶体管包括电连接到第一夹钳的第一二极管连接的双极晶体管的基极的基极，其中所述第二电流镜包括第二双极电流镜晶体管，其中，第二双极电流镜晶体管包括电连接到第二夹钳的第二二极管连接的双极晶体管的基极的基极。

8.根据权利要求1所述的放大器输入保护电路，其中，所述第一夹钳电连接在所述第一和第二输出之间，其中所述第一过电压状态包括第一输入相对于第二输入的过电压，其中第二夹钳电连接在所述第一和第二输出之间，其中所述第二过电压状态包括所述第二输入相对于第一输入的过电压。

9.根据权利要求1所述的放大器输入保护电路，其中，所述第一夹钳电连接在所述第一输出和第一电压之间，其中所述第一过电压状态包括第一输入相对于第二电压的过电压，其中第二夹钳电连接在所述第二输出和第一电压之间，其中，第二过电压状态包括所述第二输入相对于第二电压的过电压。

10.根据权利要求9所述的放大器输入保护电路，

其中，第一夹钳包括：

第一双极晶体管，包括被配置为接收第一偏置电流的发射极，其中，所述第一双极晶体管的发射极被进一步配置为当所述第一夹钳被激活时接收第一钳位电流；和

第一电阻器，电连接在第一双极晶体管的集电极和所述第一电压之间；

其中，所述第二夹钳包括：

第二双极晶体管，包括被配置为接收第二偏置电流的发射极，其中所述第二双极晶体管的发射极被进一步配置为当所述第二夹钳被激活时接收所述第二钳位电流；和

第二电阻器，电连接在第二双极晶体管的集电极和所述第一电压之间。