[发明专利]制备和使用光敏材料的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供光刻胶，其中，所述光刻胶是正性光刻胶和负性光刻胶中的一种；

选择附加材料，其中，所述附加材料是第一附加材料和第二附加材料中的一种，其中，所述第一附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和碱组分；其中，所述第二附加材料具有附接至所述聚合物链的氟组分和酸组分，其中，选择所述附加材料包括：

如果提供所述光刻胶包括提供所述正性光刻胶，则选择所述第一附加材料，并且如果提供所述光刻胶包括选择所述负性光刻胶，则选择所述第二附加材料；以及

将所提供的所述光刻胶和所选择的所述附加材料施加至目标衬底；

使施加的所述附加材料漂浮至施加的所述光刻胶的顶部区域。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在将所提供的所述光刻胶和所选择的所述附加材料施加至所述目标衬底之前，混合所提供的所述光刻胶和所选择的所述附加材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述混合包括提供所提供的所述光刻胶和所选择的所述附加材料的共聚物。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述混合包括提供所提供的所述光刻胶和所选择的所述附加材料的混合聚合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所提供的所述光刻胶是正性光刻胶，并且所选择的所述附加材料是所述第一附加材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所提供的所述光刻胶是负性光刻胶，并且所选择的所述附加材料是所述第二附加材料。

7.一种制造半导体器件的方法，其中，所述方法包括：

在目标衬底上形成光敏层；

在所述光敏层上形成附加层，其中，所述附加层包括附加材料，形成所述附加层包括使所述附加材料漂浮至所述光敏层的顶部区域；

其中，所述附加材料包括具有氟单元以及碱单元和酸单元中的一种的聚合物；和

其中，所述光敏层包括所述碱单元和所述酸单元中的另一种；

曝光具有设置在所述目标衬底上的所述光敏层和所述附加层的所述目标衬底，以形成所述光敏层和所述附加层的曝光区和未曝光区；以及

在所述曝光之后显影所述目标衬底，从而使得从所述目标衬底去除所述曝光区和所述未曝光区中的一个。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述光敏层包括沉积正性光刻胶，并且其中，所述附加材料包括碱单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，显影所述目标衬底包括将TMAH显影剂提供在所述目标衬底上。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述光敏层包括形成负性光刻胶，并且其中，所述附加材料包括酸单元。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，在第一沉积步骤中实施形成所述光敏层，并且在所述第一沉积步骤之后的第二沉积步骤中形成所述附加层。