[发明专利]亚麻抗腐蚀抗辐射面料的染整方法无效
| 申请号: | 201510196087.9 | 申请日: | 2015-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN104762808A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
| 发明(设计)人: | 仝进峰 | 申请(专利权)人: | 南通碧曼家纺有限公司 |
| 主分类号: | D06M11/38 | 分类号: | D06M11/38;D06M16/00;D06M11/30;D06M11/50;D06P1/653;D06P1/673;D06P3/82;D06M101/04;D06M101/32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 亚麻 腐蚀 辐射 面料 染整 方法 | ||
技术领域
本发明具体涉及一种亚麻抗腐蚀抗辐射面料的染整方法。
背景技术
随着电脑、通讯器材、家电等电子类产品的广泛使用来自这些器材的电磁辐 射对人体健康带来的各种危害日趋显现,电磁辐射已成为人们忽略防范的无形杀 手,特别是金融、广电、IT、电力、民航、铁路、医疗等行业是容易发生电磁辐 射的高危行业。目前市场上的抗辐射面料主要以丝、涤或棉与不锈钢短纤维进行 混合后纺纱再织造成面料,该面料产品档次较低,舒适性差,无法制成高品质服 装,不能满足办公室白领阶层对职业装面料的要求。
发明内容
发明目的:本发明提供一种亚麻抗腐蚀抗辐射面料的染整方法。
技术方案:一种亚麻抗腐蚀抗辐射面料的染整方法,包括如下步骤:将亚麻与涤纶进行精梳和纺纱制成毛纱,然后进行前处理、酶堆置、染色、定型处理、后整理。
所述前处理:将32-37g/l的烧碱、3-8g/l的 耐碱渗透剂、9-13g/l精练退浆剂、3.5-4.8g/l净洗剂混合后且在 110℃-180℃的条件下持续45分钟将织物上的杂质除去。
所述的酶堆置:采用复合型酶制剂退浆;所述的氯碱氧中每升工作液含有的各原料组分重量为:次氯酸钠:11-16g、烧碱:6-12g、双氧水:5-11g、稳定剂:12-16g、精练剂:10-16g。
所述染色:将吸湿排汗剂加入含有匀染剂、膨化剂、平滑剂、醋酸、醋酸钠的染色剂、助剂中混合同浴,染色温度保持在110-160℃,时间在45-78分钟。
所述助剂:包括阴离子表面活性剂与阳离子表面活性剂反应后产物,所述助剂含量为纳米二氧化硅重量的8-13%。
所述定型处理:每升工作液中含有的各原料组分重量为:强力保护剂:44-72g,抗皱整理剂:11-19g ,氯化镁催化剂:9-18g。
所述定型处理:拉幅机烘干温度控制在158-176℃,超喂8%。
所述阴离子表面活性剂为脂肪酸酯磺酸盐,所述阳离子表面活性剂为松香胺。
有益效果:本发明具有柔软悬垂、丝滑飘逸、抗腐蚀抗腐蚀的特点;与现有天丝面料产品相比该面料品质提高,功能优越,可以制成各种风格的功能纺织品,具有明显的先进性、广泛的实用性和良好的市场前景,必将为新型面料市场提供新的活力。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细阐述。
具体实施例一:
一种亚麻抗腐蚀抗辐射面料的染整方法,包括如下步骤:将亚麻与涤纶进行精梳和纺纱制成毛纱,然后进行前处理、酶堆置、染色、定型处理、后整理。
所述前处理:将32g/l的烧碱、3g/l的 耐碱渗透剂、9g/l精练退浆剂、3.5g/l净洗剂混合后且在 110℃的条件下持续45分钟将织物上的杂质除去。
所述的酶堆置:采用复合型酶制剂退浆;所述的氯碱氧中每升工作液含有的各原料组分重量为:次氯酸钠:11g、烧碱:6g、双氧水:5g、稳定剂:12g、精练剂:10g。
所述染色:将吸湿排汗剂加入含有匀染剂、膨化剂、平滑剂、醋酸、醋酸钠的染色剂、助剂中混合同浴,染色温度保持在110℃,时间在45分钟。
所述助剂:包括阴离子表面活性剂与阳离子表面活性剂反应后产物,所述助剂含量为纳米二氧化硅重量的8%。
所述定型处理:每升工作液中含有的各原料组分重量为:强力保护剂:44g,抗皱整理剂:11g ,氯化镁催化剂:9g。
所述定型处理:拉幅机烘干温度控制在158℃,超喂8%。
所述阴离子表面活性剂为脂肪酸酯磺酸盐,所述阳离子表面活性剂为松香胺。
具体实施例二:
亚麻抗腐蚀抗辐射面料的染整方法,包括如下步骤:将亚麻与涤纶进行精梳和纺纱制成毛纱,然后进行前处理、酶堆置、染色、定型处理、后整理。
所述前处理:将37g/l的烧碱、8g/l的 耐碱渗透剂、13g/l精练退浆剂、4.8g/l净洗剂混合后且在 180℃的条件下持续45分钟将织物上的杂质除去。
所述的酶堆置:采用复合型酶制剂退浆;所述的氯碱氧中每升工作液含有的各原料组分重量为:次氯酸钠:16g、烧碱:12g、双氧水:11g、稳定剂:16g、精练剂:16g。
所述染色:将吸湿排汗剂加入含有匀染剂、膨化剂、平滑剂、醋酸、醋酸钠的染色剂、助剂中混合同浴,染色温度保持在160℃,时间在78分钟。
所述助剂:包括阴离子表面活性剂与阳离子表面活性剂反应后产物,所述助剂含量为纳米二氧化硅重量的13%。
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