[发明专利]一种用于钙钛矿电池的二氧化钛薄层的制备方法

权利要求书

1. 一种用于钙钛矿电池的二氧化钛薄层的制备方法，所述的钙钛矿电池的结构为导电玻璃、二氧化钛薄层、钙钛矿结构层，其特征在于，包括如下步骤：

a. 将氟掺杂锡氧化物（FTO）导电玻璃在超声波中依次使用丙酮、乙醇和去离子水清洗，储存在乙醇溶液中，作为导电衬底备用；

b.将浓盐酸与去离子水配成1：1混合溶液，把钛酸四正丁酯按照1：10体积比加入上述混合溶液中，通过水热反应制备出多级结构二氧化钛纳米花串胶体，再加入聚乙二醇搅拌均匀；

c.将纳米二氧化钛胶体均匀地旋涂在导电玻璃表面，旋涂速度为2000 r/min，厚度为200～500nm；

d.将碘化铅溶液均匀地旋涂在二氧化钛涂层上，旋涂速度为2000 r/min，厚度为100～300nm，并于80℃干燥2min；

e.将甲基碘化铵溶液均匀地旋涂在碘化铅涂层上，旋涂速度为2000 r/min，厚度为100～300nm，并于80℃干燥2min，得到甲胺碘铅钙钛矿层。

2. 根据要求1所述一种用于钙钛矿电池的二氧化钛薄层的制备方法，其特征在于，所述二氧化钛薄层为纳米二氧化钛半导体薄膜，其厚度为200~500nm。

3. 根据要求1所述一种用于钙钛矿电池的二氧化钛薄层的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿结构层为甲胺碘铅（CH₃NH₃PbI₃），其厚度为400nm。