[发明专利]一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li2TiO3粉体的超临界制备方法

权利要求书

1.一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li₂TiO₃粉体的超临界制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)按照Li﹕Ti的摩尔比为(1.85～2.25)﹕1称取TiO₂粉体和LiOH·H₂O粉体，将二者加入高压容器中，然后向高压容器中加入蒸馏水，混合均匀，并控制Li⁺浓度为0.1～2mol/L；

2)将高压容器置于高温干燥箱中，于375～450℃下充分反应；

3)将高压容器置于烘箱中，经干燥得到β-Li₂TiO₃粉体；

4)将步骤3)得到的β-Li₂TiO₃粉体研磨均匀，即得到纳米级β-Li₂TiO₃粉体。

2.根据权利要求1所述的一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li₂TiO₃粉体的超临界制备方法，其特征在于，所述的高压容器材料为哈氏合金，压力范围为50～200MPa。

3.根据权利要求1所述的一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li₂TiO₃粉体的超临界制备方法，其特征在于，步骤1)中按照蒸馏水占高压容器容积为20％～80％的体积比向高压容器中加入蒸馏水。

4.根据权利要求1所述的一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li₂TiO₃粉体的超临界制备方法，其特征在于，步骤2)中的反应时间为5～20h。

5.根据权利要求1所述的一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li₂TiO₃粉体的超临界制备方法，其特征在于，步骤3)中干燥温度为50～80℃，干燥时间为8～12h。

6.一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li₂TiO₃粉体的超临界制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)按照Li﹕Ti的摩尔比为1.90﹕1称取TiO₂粉体和LiOH·H₂O粉体，将二者加入高压容器中，所述的高压容器材料为哈氏合金，压力范围为50～200MPa，然后按照蒸馏水占高压容器容积为50％的体积比向高压容器中加入蒸馏水，混合均匀，并控制Li⁺浓度为1mol/L；

2)将高压容器置于高温干燥箱中，于400℃下反应10h；

3)将高压容器置于烘箱中，经80℃干燥10h得到β-Li₂TiO₃粉体；

4)将步骤3)得到的β-Li₂TiO₃粉体研磨均匀，即得到纳米级β-Li₂TiO₃粉体。

7.一种超胞结构直接发育的纳米级β-Li₂TiO₃粉体的超临界制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)按照Li﹕Ti的摩尔比为2.15﹕1称取TiO₂粉体和LiOH·H₂O粉体，将二者加入高压容器中，所述的高压容器材料为哈氏合金，压力范围为50～200MPa，然后按照蒸馏水占高压容器容积为40％的体积比向高压容器中加入蒸馏水，混合均匀，并控制Li⁺浓度为0.5mol/L；

2)将高压容器置于高温干燥箱中，于380℃下反应10h；

3)将高压容器置于烘箱中，经70℃干燥12h得到β-Li₂TiO₃粉体；

4)将步骤3)得到的β-Li₂TiO₃粉体研磨均匀，即得到纳米级β-Li₂TiO₃粉体。