[发明专利]蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示装置的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年4月28日递交的韩国专利申请KR 10-2014-0050924的权益，其通过整体引用而并入本申请中。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及一种蚀刻剂和一种使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。

背景技术

一般情况下，薄膜晶体管(TFT)面板用作液晶显示装置或有机电致发光(EL)显示装置中独立驱动每个像素的电路板。TFT面板包括：扫描信号布线或栅布线，用于传输扫描信号；和图像信号布线或数据布线，用于传输图像信号。而且，它进一步包括：与栅布线和数据布线连接的TFT，以及与TFT连接的像素电极。

这样的TFT面板通过在基板上形成用于栅布线和数据布线的金属层并然后蚀刻上述金属层来制造。

栅布线和数据布线由导电性高且电阻低的铜制成。然而，铜在应用光刻胶和使其图案化的工艺中造成困难，因此，不使用铜单层膜而使用多层金属膜形成栅布线和数据布线。

通常用作多层金属膜的是钛/铜双层膜。当同时蚀刻该钛/铜双层膜时，蚀刻轮廓可能变差并且后续工艺难以进行。

发明内容

因此，本发明的示例性实施方式提供一种蚀刻剂和一种使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。

本发明的实施方式提供一种蚀刻剂，包含：0.5wt％～20wt％的过硫酸盐；0.01wt％～2wt％的氟化合物；1wt％～10wt％的无机酸；0.5wt％～5wt％的含氮原子(N)的杂环化合物；0.1wt％～5wt％的氯化合物；0.05wt％～3wt％的铜盐；0.1wt％～10wt％的有机酸或有机酸盐；0.1wt％～5wt％的供电子化合物；以及余量的溶剂。

本发明的另一个实施方式提供一种制造显示装置的方法，包括：在绝缘基板上形成栅金属层，所述栅金属层包括下部栅金属层和上部栅金属层；使用上述蚀刻剂来蚀刻所述栅金属层，从而形成包括栅电极的栅线；在所述栅线上形成栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上按序形成第一非晶硅层、第二非晶硅层、下部数据金属层，和上部数据金属层；蚀刻所述第一非晶硅层、所述第二非晶硅层、所述下部数据金属层，和所述上部数据金属层，从而形成半导体层、欧姆接触层、包括源电极的数据线，和漏电极；在所述数据线、所述漏电极和所述栅绝缘膜上形成钝化层；以及在所述钝化层上形成像素电极以与所述漏电极连接。

根据本发明示例性实施方式，提供一种对钛/铜双层膜表现出优异的蚀刻轮廓并且不产生溶解性差的沉淀物的蚀刻剂，以及一种使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。

附图说明

通过结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本发明的上述以及其它目的、特征和优点，在附图中：

图1是示出根据本发明的实施方式的显示装置的横截面视图。

图2是沿图1的线II-II观看的横截面视图。

图3至图8是示出根据本发明的实施方式的制造显示装置的方法的视图；以及

图9是示出根据本发明的实施方式的蚀刻剂的作用机制的示意图。

具体实施方式

由于本发明的实施方式可以按许多不同的形式进行各种修改，现将详细参考本发明的多种实施方式，其具体实例示于附图中并描述在下文中。将理解的是，本描述并不将本发明限于那些实施方式，本发明包括在本发明的精神和范围内的各种修改、等同和替换。

在下文中，将参照附图给出本发明的实施方式的详细描述。在全部附图中，相同的附图标记指代相同或相似的元件，因此省略了冗余的描述。

除非上下文清楚地另外指明，如本文所用的单数形式也意在包括复数形式。

将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包含”、“包括”、“具有”等是指存在所陈述的要素或元件，但不排除存在或增加一个或多个其它要素或元件。

而且，将理解的是，当诸如膜、区域或片材被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或居间元件(intervening element)可以存在于其间。

为使附图清楚起见，元件的尺寸被描绘成大于或小于实际尺寸。例如，附图中各个元件的尺寸和厚度是任意描绘的，并且本发明不必限于此。

当实施任何实施方式时，具体的工艺顺序可以不同于所描述的顺序实施。例如，连续描述的两个工艺可以基本上同时执行，或者可以按相反的顺序进行。

下面是根据本发明实施方式的蚀刻剂的描述。

蚀刻剂用于蚀刻双层金属布线，该双层金属布线包括：钛(Ti)或含钛金属膜，和在钛或含钛金属膜上的铜(Cu)或含铜金属膜。