[发明专利]半导体存储装置

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求2014年8月8日在韩国知识产权局提交的申请号为 10-2014-0102525的韩国专利的优先权，该韩国专利申请以参阅方式全 文并入本申请。

技术领域

各种实施例主要涉及一种半导体集成电路，并具体涉及一种半导 体存储装置。

背景技术

半导体存储装置被配置成存储数据并输出所存储的数据。半导体 存储装置根据数据被存储和保存的方案而被分类为非易失性半导体 存储装置以及易失性半导体存储装置。

该易失性半导体存储装置执行更新操作以保存存储的数据，并且 该非易失性半导体存储装置不需要分离操作(诸如刷新操作)以保存 所存储的数据。

在易失性半导体存储装置之中，存在这样的半导体存储装置，其 中电荷根据将被存储的数据而向电容器充电或从其中放电，并且所述 半导体存储装置包括用于确定电容器的电荷量的电路(举例来说，感 测放大器)。

半导体存储装置趋向于微型化以及低能耗，电容器的尺寸被缩 小，并且被充到电容器中的电荷量也被减少。在这个状况下，正在开 发一种能够确定电容器的电荷的减少量的电路。

发明内容

在一个实施例中，半导体存储装置可以包括电联接到字线和位线 的第一存储单元。该半导体存储装置还可以包括电联接到字线和位线 的第二存储单元。此外，该半导体存储装置可以包括电联接到位线和 位线条(bitlinebar)的感测放大器。此外，该半导体存储装置可以 包括切换单元，其被配置成响应列选择信号而将位线和位线条电联接 到输入/输出线以及输入/输出线条(linebar)。

在一个实施例中，半导体存储装置可以包括第一存储单元，其包 括当字线被启用时电联接到第一位线的第一电容器。该半导体存储装 置还可以包括第二存储单元，其包括当字线被启用时电联接到第一位 线条的第二电容器。此外，该半导体存储装置可以包括第三存储单元， 其包括当字线被启用时电联接到第二位线的第三电容器。此外，该半 导体存储装置可以包括第四存储单元，其包括当字线被启用时电联接 到第二位线条的第四电容器。该半导体存储装置还可以包括电联接到 第一位线和第一位线条的第一感测放大器。此外，该半导体存储装置 可以包括电联接到第二位线和第二位线条的第二感测放大器。此外， 该半导体存储装置可以包括第一切换单元，该第一切换单元被配置成 响应第一列选择信号而电联接第一位线和第一输入/输出线并且电联 接第一位线条和第一输入/输出线条。该半导体存储装置还可以包括 第二切换单元，其被配置成响应第二列选择信号而电联接第二位线和 第二输入/输出线并且电联接第二位线条和第二输入/输出线条。

优选地，所述第一位线和所述第一位线条转移具有不同电平的数 据，其中，所述第一输入/输出线和所述第一输入/输出线条转移具有 不同电平的数据，其中，所述第二位线和所述第二位线条转移具有不 同电平的数据，并且其中，所述第二输入/输出线和所述第二输入/输 出线条转移具有不同电平的数据。

优选地，所述第二位线，所述第一位线条和所述第二位线条被顺 序地设置在所述第一位线的一侧。

在一个实施例中，半导体存储装置可以包括电联接到字线的多个 存储单元。该半导体存储装置还可以包括电联接到多个存储单元的多 条位线。该半导体存储装置还可以包括切换单元，其被配置成响应列 选择信号将多条位线的一对位线与一对输入/输出线电联接。此外， 该半导体存储装置可以包括感测放大器，其被配置成感测并放大该对 位线之间的电压差，其中一对存储单元响应字线和列选择信号而在多 个存储单元中被选择，不同的数据存储在所选择的一对存储单元中， 并且该对存储单元被配置成输出不同的数据。

优选地，如果高电平数据响应所述字线和所述列选择信号而被存 储在所述一对存储单元中的一个中，则低电平数据被存储在所述一对 存储单元的另一个中，并且如果所述一对存储单元中的其中一个输出 高电平数据，则所述一对存储单元的另一个输出低电平数据。

优选地，被选择的所述一对存储单元被分别电联接到所述一对输 入/输出线，并且被电联接到所述感测放大器。

优选地，当所述位线的电压电平高于所述位线条的电压电平时， 所述感测放大器提升所述位线的电压电平并降低所述位线条的电压 电平。