[发明专利]一种GaN外延废片回收的方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管芯片(Light-Emitting-Diode chip)领域，尤其涉及一种GaN外延废片回收的方法。

背景技术

LED产业，作为一项新兴产业，已经对这个时代产生了重大的影响。在照明应用、背光应用、功率器件等众多领域，LED替代传统产业成为主流成为必然趋势。

GaN材料是近年来最受关注的第三代化合物半导体。GaN材料为宽禁带直接带隙半导体，N系III/V族化合物均为直接带隙半导体，AlN/GaN/InN系列的三元或四元化合物，其禁带宽度从1.9eV到6.2eV，覆盖了从红外到紫外波长段。同时GaN材料热稳定性好，化学性质稳定，热导率高，GaN制作的器件性能也很稳定，这使得GaN基LED发展形势迅速，并将在照明、背光、功率器件等众多领域取代其他传统材料，成为产业主流。

GaN基LED外延技术是整个产业链的技术核心，是决定产品性能的关键环节。GaN基LED外延片的生长则是是以Al₂O₃单晶作为衬底，生长GaN材料。

随着GaN基LED技术的大规模推广，GaN基LED的产能开始急速膨胀，很多公司开始批量生产。随着产量的节节攀升，各大公司也寄存了大量的外延废片。这些外延废片因其生长过程中某一个步骤出现异常导致，不能进行下一步的加工，处理这些这类外延废片，常常会当作废品抛弃，这种做法既浪费又会造成污染，并且大大提高了生产成本。

发明内容

为此，本发明提出了一种可以解决上述问题的至少一部分的GaN外延废片回收的方法。

本发明提供了一种GaN外延废片回收的方法，包括：第一步骤(S10)：将GaN外延废片浸泡到腐蚀溶液中以腐蚀所述GaN外延废片表面；第二步骤(S20)：利用清洗液来清洗所述第一步骤中经过腐蚀的GaN外延废片。

根据本发明的一个实施方式，进一步包括：在所述第一步骤之前，对所述GaN外延废片表面进行粗化处理。

根据本发明的一个实施方式，其中，在通过研磨处理和/或高温处理来进行粗化处理；优选地，所述研磨处理为通过砂纸或砂轮对GaN外延废片表面进行打磨；或优选地，所述高温处理为把GaN外延废片在烤盘炉加热，加热温度大于1000℃，加热时间为0.5-10小时。

根据本发明的一个实施方式，其中，所述腐蚀溶液为强酸或强碱溶液。

根据本发明的一个实施方式，进一步包括，在所述第一步骤中，控制所述GaN外延废片在所述腐蚀溶液中的浸泡时间，以控制对所述GaN外延片的腐蚀深度，优选地，所述浸泡时间为10-100小时。

根据本发明的一个实施方式，其中，在所述第一步骤中，所述强酸溶液或所述强碱溶液的浓度大于10％，所述酸溶液或碱溶液的温度大于50℃。

根据本发明的一个实施方式，其中，所述强酸溶液为盐酸溶液，所述强碱溶液为NaOH溶液，优选地，所述NaOH溶液的浓度为50％以上，温度为80℃以上。

根据本发明的一个实施方式，其中，在所述第二步骤中，利用清洗液来清洗所述第一步骤中经过腐蚀的GaN外延废片包括：步骤(S100)：使用硫酸和双氧水混合溶液对GaN外延废片表面进行清洗并吹干；步骤(S200)：使用稀盐酸对完成所述步骤S100的GaN外延废片表面进行清洗并吹干；步骤(S300)：使用纯水对完成所述步骤S200的GaN外延废片表面进行清洗并吹干。

根据本发明的一个实施方式，其中，在所述第二步骤(S20)中，利用清洗液来清洗所述第一步骤中经过腐蚀的GaN外延废片包括：步骤(S100’)：使用王水对GaN外延废片表面进行清洗并甩干；步骤(S200’)：使用氢氟酸对完成所述步骤S100’的GaN外延废片表面进行清洗并甩干；以及，步骤(S300’)：使用去胶液对GaN外延片表面进行清洗并甩干。

根据本发明的一个实施方式，其中，在所述步骤(S200)中，所述稀盐酸的浓度为5-15％；所述纯水为去离子纯水。

本发明所述GaN外延废片回收的方法不会抛弃大量的GaN外延废片，不仅节省了大量的生产成本，而且不会污染环境，做到了节能环保的作用。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。其中在附图中，参考数字之后的字母标记指示多个相同的部件，当泛指这些部件时，将省略其最后的字母标记。在附图中：