[发明专利]一种可自毁非易失性存储芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种可自毁非易失性存储芯片，其特征在于，所述可自毁非易失性存储芯片包括：存储芯片和形成在其上的自毁功能层；其中，自毁功能层从下至上依次包括绝缘层、加热层、钝化层和焊盘金属；绝缘层形成在存储芯片上，并且在与存储芯片的各个功能引脚相对应的位置设置多个通孔，以露出存储芯片的各个功能引脚；在绝缘层上没有设置通孔的位置形成加热层，加热层包括两端的加热电极和连接两个加热电极的作用区；在加热层上形成钝化层，在钝化层上与存储芯片的各个功能引脚相对应的位置以及与两个加热电极相对应的位置设置有焊盘通孔；在焊盘通孔内分别设置存储芯片焊盘金属和两个自毁焊盘金属，各个存储芯片焊盘金属分别与存储芯片的各个功能引脚相连接，并分别连接至外围电路，两个自毁焊盘金属分别与加热层的两个加热电极相连接，并分别连接至外部的自毁电路。

2.如权利要求1所述的可自毁非易失性存储芯片，其特征在于，所述加热层的厚度不超过2μm；材料采用镍铬合金，或者钨。

3.如权利要求1所述的可自毁非易失性存储芯片，其特征在于，所述加热层的作用区，形状为矩形，宽度在2μm～40μm之间，或者形状为中间窄两端宽的结构，并且为轴对称的图形，中间的最小宽度在2μm～40μm，两端的最大的宽度在40μm～400μm。

4.如权利要求1所述的可自毁非易失性存储芯片，其特征在于，所述钝化层的材料采用与CMOS工艺相兼容的绝缘抗氧化材料；所述绝缘层的厚度在0.5μm～2μm之间。

5.如权利要求1所述的可自毁非易失性存储芯片，其特征在于，所述自毁电路包括：数据通信单元、逻辑判断单元、存储单元、电源和输出控制单元；其中，数据通信单元、逻辑判断单元、存储单元和输出控制单元分别连接至电源；上位机或传感器通过数据总线连接至数据通信单元；数据通信单元接收来自上位机或传感器的信息，并将这些信息发送至逻辑判断单元；逻辑判断单元接收信息，并根据存储在存储单元中的指令判断当前时刻是否需要执行自毁，若不需要，则无动作，若需要则逻辑判断单元向输出控制单元发送自毁指令；输出控制单元接收来自逻辑判断单元的自毁指令，并通过发火控制端向加热层发出脉冲发火信号，控制加热层发热以执行自毁；两个加热电极分别连接至发火控制端和地端。

6.如权利要求1所述的可自毁非易失性存储芯片，其特征在于，进一步包括封装体，所述封装体包括封装外壳和引脚框架，已制备好的可自毁非易失性存储芯片贴装在引脚框架上，各个存储芯片焊盘金属分别连接至引脚框架的各个存储芯片引脚，以及两个自毁焊盘金属分别连接至引脚框架的两个自毁引脚，封装在封装外壳中，并露出引脚，从而将存储芯片的各个功能引脚分别通过引脚框架的各个存储芯片引脚连接至外围电路，以及将两个加热电极分别通过引脚框架的两个自毁引脚连接至外部的自毁电路。

7.一种权利要求1所述的可自毁非易失性存储芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1)提供存储芯片；

2)淀积绝缘层：在存储芯片上覆盖一层绝缘材料，形成绝缘层，厚度不超过2μm之间；

3)淀积加热层：通过溅射、化学气相沉积CVD和离子注入等工艺在绝缘层上覆盖一层加热层的材料，厚度不超过2μm；

4)加热层的图形化：通过光刻和刻蚀对加热层的材料图形化，形成加热层，加热层包括两端的加热电极和连接两个加热电极的作用区；

5)淀积钝化层：在加热层上覆盖一层绝缘抗氧化材料，形成钝化层，厚度在0.2μm～2μm之间；

6)形成焊盘通孔：在与存储芯片的各个功能引脚相对应的位置以及与加热层的两个加热电极相对应的位置，刻蚀钝化层，形成焊盘通孔；

7)形成焊盘金属：在焊盘通孔中填充焊盘金属，并对焊盘金属进行合金工艺，从而在与存储芯片的各个功能引脚相对应的位置形成多个存储芯片焊盘金属，以及与两个加热电极相对应的位置形成两个自毁焊盘金属，从而将存储芯片的各个功能引脚分别连接至外围电路，以及将两个加热电极分别连接至外部的自毁电路的发火控制端和地端。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，进一步包括将自毁芯片封装在封装体中，封装体包括封装外壳和引脚框架，将已制备好的可自毁非易失性存储芯片贴装在引脚框架上，并将焊盘金属分别连接至引脚框架的各个引脚，各个存储芯片焊盘金属分别连接至引脚框架的各个存储芯片引脚，以及两个自毁焊盘金属分别连接至引脚框架的两个自毁引脚，封装在封装外壳中，并露出引脚，从而将存储芯片的各个功能引脚分别通过引脚框架的各个存储芯片引脚连接至外围电路，以及将两个加热电极分别通过引脚框架的两个自毁引脚连接至外部的自毁电路。