[发明专利]存储系统和操作其的方法有效

专利信息
申请号: 201510179610.7 申请日: 2015-04-16
公开(公告)号: CN105047216B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 金眩奭;金大镐;吴龙根;文圣轸 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11B33/14 分类号: G11B33/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽;张婧
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 存储系统 操作 方法
【说明书】:

一种操作存储系统的方法,存储系统包括存储器控制器和至少一个非易失性存储器,所述方法包括:在存储系统中存储从布置在存储系统外部的主机接收到的温度相关的性能水平信息;将存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平;根据第一性能水平操作存储器控制器和所述至少一个非易失性存储器;检测存储系统的内部温度;和将所述存储系统的操作性能水平改变为不同于第一性能水平的第二性能水平。由所述存储系统的存储器控制器改变操作性能水平,并且所述改变操作性能水平是基于温度相关的性能水平信息和检测到的内部温度的。

相关申请的交叉引用

本申请要求在2014年4月17日提交的10-2014-0046190号韩国专利申请的优先权,其公开通过引用的方式全部并入此处。

技术领域

本发明构思的示范性实施例涉及存储系统和操作其的方法,更加具体来说,涉及能够根据温度检测结果以逐步方式控制操作性能的存储系统和操作其的方法。

背景技术

存储系统一般可以分为易失性存储系统和非易失性存储系统。非易失性存储器即使当断电也保留存储在其中的数据,而易失性存储器当断电时丢失数据。非易失性存储器的例子包括只读存储器(ROM)、磁盘、光盘、闪存、电阻随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)和磁随机存取存储器(MRAM)。闪存指的是根据金属氧化物半导体(MOS)晶体管的阈值电压的变化存储数据的存储器,并且可以包括例如NAND和NOR闪存。

当存储系统以高性能水平操作时,存储系统的内部温度升高,这会导致存储系统的内部元件故障或对内部元件的损害。

发明内容

本发明构思的示范性实施例提供一种能够防止其内部元件免于由于温度的升高而受损的存储系统和操作其的方法。

根据本发明构思的示范性实施例,一种操作存储系统的方法,存储系统包括存储器控制器和存储器件,所述方法包括:在存储系统中存储从外部位置(例如,从主机)接收到的温度相关的性能水平信息;将存储系统的操作性能水平设置为第一性能水平;检测存储系统的内部温度;和根据温度检测结果在存储器控制器的控制下基于温度相关的性能水平信息将存储系统的性能水平调节为第二性能水平,而不管主机的外部控制。

温度相关的性能水平信息可以包括表信息,表信息包括与相应于多个温度范围的性能水平相关的信息。

温度相关的性能水平信息可以是在存储系统的启动操作或运行时操作期间从主机接收。

所述方法还可以包括存储检测到的温度值为当前温度信息,和用与检测到的温度值相应的性能水平信息更新当前性能水平信息。

可以基于温度相关的性能水平信息改变存储系统的内部时钟的频率。

与从主机接收到的第一命令相应的第一确认命令的延迟可以基于温度相关的性能水平信息而改变。

所述存储系统可以包括多个存储芯片,和多个存储芯片当中将同时存取的存储芯片的数目可以基于温度相关的性能水平信息而改变。

所述方法还可以包括:响应于来自主机的请求发送当前性能水平信息,从主机接收性能设置信息;和基于性能设置信息在一性能水平上执行存储操作而不论存储在存储系统中的温度相关的性能水平信息。

所述存储系统可以包括固态硬盘(SSD)或存储卡。

所述温度相关的性能水平信息可以包括相应于温度范围的时间信息,和当所述存储系统的内部温度保持在特定温度范围中达预定时间时,所述存储系统的操作性能水平可以基于相应于特定温度范围的时间信息被调节为第二性能水平。

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