[发明专利]半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201510178296.0 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105097900A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·J·T·M·唐克尔;斯蒂凡·巴斯蒂安·西蒙·海尔;乔斯·安德斯帝格 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：位于衬底上的至少一个有源层、以及到至少一个有源层的肖特基接触，所述肖特基接触包括至少为钛和氮的主体，主体与所述至少一个有源层电性耦合。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述主体包括钛、钨和氮。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述肖特基接触包括子层的堆叠，子层包括位于所述至少一个有源层上的第一钛子层以及TiW(N)层。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述肖特基接触包括第一TiW子层、第二TiW子层以及在所述第一、第二TiW子层之间的TiW(N)子层。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：TiW(N)子层的厚度超过第一、第二TiW子层的厚度之和，从而所述子层的堆叠的性状由所述TiW(N)子层主导。
6.如在先任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于：所述肖特基接触包括堆叠，所述堆叠包括有源层部分和连接部分，有源层部分适应为耦合到有源层，连接部分耦合到有源层部分，以提供至所述肖特基接触的连接，其中所述主体形成为所述有源层部分，所述连接部分具有比所述有源层部分低的电阻。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述连接部分包括铝。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述肖特基接触通过电绝缘材料被横向地界定。
9.如在先任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包括氮化镓(GaN)有源层。
10.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成至少一个有源层；
通过沉积至少为钛和氮的主体来在所述至少一个有源层上形成肖特基接触，所述主体与所述至少一个有源层电性耦合。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述方法包括通过控制肖特基接触主体中的氮含量来控制肖特基接触的肖特基势垒高度的步骤。
12.如权利要求10或11所述的方法，其特征在于，形成肖特基接触的步骤包括：通过物理气相沉积(PVD)在惰性环境中沉积至少钛，以及控制引入到发生PVD的周围环境中的氮的量，以提供对于所生成的半导体器件的肖特基势垒高度的控制。
13.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述主体包括钛、钨和氮。
14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法包括形成肖特基接触堆叠的步骤，肖特基接触堆叠包括有源层部分和连接部分，其中所述主体包括所述堆叠的有源层部分，以及所述连接部分具有比所述有源层部分小的电阻。
15.一种集成电路(IC)，其特征在于：包括如权利要求1至9中任一项所述的半导体器件。
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