[发明专利]具有静电放电保护结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基体，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，

所述半导体基体的第一表面上的第一隔离层，

所述第一隔离层上的第一静电放电保护结构，所述第一静电放电保护结构具有第一端子和第二端子，

所述第一静电放电保护结构上的第二隔离层，

第二隔离层上的栅极接触区域，所述栅极接触区域被电耦合到所述第一静电放电保护结构的第一端子，以及

电接触结构，被布置在所述栅极接触区域与所述半导体基体之间的重叠区域中，所述电接触结构被电耦合到所述第一静电放电保护结构的第二端子并且与所述栅极接触区域电隔离，以及

所述第二隔离层上的源极接触区域，所述源极接触区域被电耦合至所述电接触结构；

其中所述栅极接触区域和所述源极接触区域是相同布线层级内的相同图案化金属布线层的分离部分，并且

其中所述半导体器件的漏极区设置在所述半导体基体的第二表面处。

2.权利要求1的所述半导体器件，其中所述第一静电放电保护结构包含至少一个多晶硅二极管。

3.权利要求1的所述半导体器件，其中所述第一静电放电保护结构包含第一隔离层上的多晶硅层，该多晶硅层具有沿着横向方向交替布置的相对导电类型的第一区和第二区。

4.权利要求3的所述半导体器件，其中第一区和第二区中的每个包括第一导电类型的第一掺杂剂，并且第二区进一步包括过补偿第一掺杂剂的第二导电类型的第二掺杂剂。

5.权利要求1的所述半导体器件，其中所述第一静电放电保护结构的面积大于5000 µm²，并且其中所述第一静电放电保护结构被适配成通过耗散由所述栅极接触区域与所述源极接触区域之间的静电放电事件引起的能量来保护栅极和源极之间的栅极电介质免于损坏。

6.权利要求1的所述半导体器件，其中所述第一静电放电保护结构被布置在栅极接触区域与第一隔离层之间的重叠区域中。

7.权利要求1的所述半导体器件，其中所述第一静电放电保护结构的至少25％被布置在栅极接触区域与第一隔离层之间的重叠区域中。

8.权利要求1的所述半导体器件，其中所述栅极接触区域包含栅极垫。

9.权利要求8的所述半导体器件，其中所述电接触结构的至少部分被布置在栅极垫与半导体基体之间的重叠区域中。

10.权利要求1的所述半导体器件，其中所述栅极接触区域包括单个金属布线层。

11.权利要求1的所述半导体器件，进一步包括

第二静电放电保护结构，具有电耦合到栅极接触区域的第一端子和电耦合到源极接触区域的第二端子。

12.权利要求11的所述半导体器件，其中所述第二静电放电保护结构的第二端子被布置在源极接触区域与半导体基体之间的重叠区域中。

13.权利要求11的所述半导体器件，其中所述第一静电放电保护结构和所述第二静电放电保护结构共同具有第一端子。

14.权利要求11的所述半导体器件，其中所述第一静电放电保护结构和所述第二静电放电保护结构是二极管链，所述二极管链被并联电连接并且具有相同数目的二极管。

15.权利要求1的所述半导体器件，其中所述电接触结构被电耦合到半导体基体内的半导体区，所述半导体区被电耦合到所述源极接触区域。

16.权利要求15的所述半导体器件，其中所述电接触结构沿着垂直方向从所述第一静电放电保护结构的第二端子延伸经过第一隔离层到所述半导体区。