[发明专利]金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法在审
| 申请号： | 201510173994.1 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN104795359A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 雷通;周海锋;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/764 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 介质 形成 空气 方法 | ||
1.一种金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤01：在半导体器件衬底上形成第一介质层，在所述第一介质层中形成前段金属互连线、以及在所述前段金属互连线表面和所述第一介质层表面沉积第一阻挡层；
步骤02：经光刻和刻蚀工艺，在所述第一阻挡层中形成多个孔；
步骤03：湿法刻蚀所述孔下方的所述第一阻挡层部分，在所述第一阻挡层中形成空隙；所述空隙的直径大于所述孔的直径；
步骤04：在所述第一阻挡层上形成第二介质层，以在第一介质层中形成密封的空气隙。
2.根据权利要求1所述的金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，所述步骤04之后还包括步骤05：在所述第二介质层中形成后段金属互连线。
3.根据权利要求1所述的金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为150～500A。
4.根据权利要求1所述的金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，所述第一介质层或所述第二介质层的材料为多孔low-k材料。
5.根据权利要求4所述的金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，所述步骤01中在所述形成前段金属互连线之前还包括：对所述第一介质层进行紫外固化工艺；或者所述步骤04中还包括：对所述第二介质层进行紫外固化工艺。
6.根据权利要求1所述的金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，所述孔的直径为20～50nm。
7.根据权利要求1所述的金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，所述步骤02中，所述刻蚀工艺为等离子体干法刻蚀工艺。
8.根据权利要求1所述的金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，所述步骤03中，所述湿法刻蚀所采用的药液为稀释氢氟酸。
9.根据权利要求1所述的金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，所述步骤04还包括：对所述第二介质层顶部进行平坦化处理。
10.根据权利要求1所述的金属互连线间的介质层中形成空气隙的方法，其特征在于，所述步骤05之后还包括：在所述第二介质层表面和所述后段金属互连线表面沉积第二阻挡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
